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公开(公告)号：CN1584720B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200410058480.3
申请日：2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。
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公开(公告)号：CN1584720A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410058480.3
申请日：2004-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/00 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L27/124
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。
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公开(公告)号：CN101447491B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810180770.3
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接，其中，像素电极和漏极位于基片上的不同的层上，半导体除具有凸起部外，具有与第二信号线相同的平面形状。
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公开(公告)号：CN1577090B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200410032706.2
申请日：2004-04-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/77 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136236 , G02F2001/13625 , G03F7/70358 , H01L27/1214 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种用于提高成品收率的曝光方法及利用该曝光方法制造用于液晶显示器的薄膜晶体管基片的方法。为了提高成品收率，通过掩膜对基片上的层进行光扫描。通过该层的曝光在基片上形成图案。扫描的方向基本上垂直于该图案的长度方向。减小由于图案耦合形成的电容差以及通过绝缘层形成的导电层。因此，减少了显示器的故障并提高了成品率。
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公开(公告)号：CN1607446A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410090523.6
申请日：2004-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1335 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器，其包括：第一基底；形成在第一基底上的第一信号线；形成在第一基底上并与第一信号线相交的第二信号线；与第一信号线和第二信号线相连的薄膜晶体管；与薄膜晶体管相连的像素电极；第二基底；形成在第二基底上的公共电极；设置在第一基底和第二基底之间的液晶层；以及形成在第一和第二基底中一个上并具有槽口的倾斜方向确定元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1591144A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN1580917A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410062409.2
申请日：2004-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明涉及一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上沉积下部导电层和上部导电层；光学蚀刻上部导电层、下部导电层、及半导体层；沉积钝化层；光学蚀刻钝化层露出上部导电层第一部分和第二部分；除去上部导电层第一及第二部分，露出下部导电层第一部分和第二部分；形成覆盖下部导电层第一部分的像素电极；除去下部导电层第二部分，露出半导体层一部分；在半导体层露出部分上形成间隔材料支柱。
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公开(公告)号：CN1517771A
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN200410000993.9
申请日：2004-01-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。
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公开(公告)号：CN100514640C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200410083927.2
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接。
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公开(公告)号：CN101447491A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810180770.3
申请日：2004-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L23/522 , G02F1/1362 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/41733
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接，其中，像素电极和漏极位于基片上的不同的层上，半导体除具有凸起部外，具有与第二信号线相同的平面形状。
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