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公开(公告)号：CN1591144A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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公开(公告)号：CN1908789B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610108364.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
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公开(公告)号：CN1908789A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108364.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
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公开(公告)号：CN100392506C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410057090.4
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/00 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/1339
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。
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