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公开(公告)号：CN1908789A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610108364.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
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公开(公告)号：CN1908789B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200610108364.7
申请日：2006-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/134309 , G02F1/13439
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器(LCD)，该LCD包括栅极线、数据线和像素电极，像素电极包括施加有不同的电压的第一子像素电极和第二子像素电极。薄膜晶体管与栅极线和数据线结合，以向像素电极施加电压，存储电极与第一子像素电极和第二子像素电极部分地叠置。第一子像素电极布置在除了第二子像素电极的一边之外的所有边上，存储电极的第一侧部分与第一子像素电极和第二子像素电极的边界叠置，存储电极的第二侧部分突出并与第二子像素电极部分地叠置，存储电极包括存储电极延伸部分，存储电极延伸部分从越过第一子像素电极的存储电极的第二侧突出并与第二子像素电极叠置。
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公开(公告)号：CN100448012C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200610004236.8
申请日：2006-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78633
Abstract: 本发明公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，包括栅电极；数据布线，包括数据线、连接到所述数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极；以及半导体层，设置于所述栅极布线和数据布线之间，其中所述漏电极下的半导体层设置于与所述栅电极重叠的区域内，且所述源电极下的半导体层从栅电极向外延伸到未与所述栅电极重叠的区域。有利地，本公开提供了一种具有高开口率和导致少余像的用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1828909A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610004236.8
申请日：2006-02-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78633
Abstract: 本发明公开了一种用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，包括栅电极；数据布线，包括数据线、连接到所述数据线的源电极和连接到像素电极的漏电极；以及半导体层，设置于所述栅极布线和数据布线之间，其中所述漏电极下的半导体层设置于与所述栅电极重叠的区域内，且所述源电极下的半导体层从栅电极向外延伸到未与所述栅电极重叠的区域。有利地，本公开提供了一种具有高开口率和导致少余像的用于显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法。
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