公开(公告)号：CN1584720B

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN1495478A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03164805.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  崔权永 ,  李荣埈 ,  姜奉周 ,  林承泽 ,  孔香植 ,  金垣炷

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。

公开(公告)号：CN100465704C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03164805.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  崔权永 ,  李荣埈 ,  姜奉周 ,  林承泽 ,  孔香植 ,  金垣炷

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。

公开(公告)号：CN1628389A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02812690.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林承泽 ,  洪雯杓 ,  卢南锡 ,  宋泳周 ,  郭相基 ,  崔权永 ,  宋根圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。

公开(公告)号：CN1584720A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410058480.3

申请日：2004-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  白范基 ,  李正荣 ,  崔权永 ,  郭相基 ,  全相镇

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法。在基片上形成栅极线，在栅极线上连续沉积栅极绝缘层和半导体层，在半导体层上沉积铬导电层。接着对导电层及半导体层进行光学蚀刻后，沉积钝化层，对钝化层进行光学蚀刻并露出导电层的第一部分和第二部分。接着形成覆盖导电层第一部分的像素电极，同时除去导电层的第二部分，完成由导电层组成的数据线及与像素电极连接的漏极，露出源极及漏极之间的半导体层的一部分。接着在半导体层露出部分之上形成间隔柱。

公开(公告)号：CN100357831C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN02807592.7

申请日：2002-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓英美 ,  朴云用 ,  崔权永 ,  朴明在

IPC: G03F7/22

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/13625

Abstract: 在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中，在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区，并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光，从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如，当沿压合区的横向向右行进时分配给左侧的单元压合区的数量逐渐减少，而分配给右侧的单元压合区的数量逐渐增多。一个单元压合区包括一个通过将一个像素划分成至少两部分所获得的一个区域。

公开(公告)号：CN1517771A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410000993.9

申请日：2004-01-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 昔俊亨 ,  李正荣 ,  尹钟秀 ,  崔权永 ,  白范基

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：在绝缘基板上形成的栅极线；在栅极导电层上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成且包括源极的数据线；至少部分形成在半导体层上的漏极；形成在数据线和漏极上且具有至少部分露出漏极和栅极绝缘层部分的第一接触孔的钝化层；形成在钝化层上并通过第一接触孔连接漏极及栅极绝缘层的露出部分的像素电极。

公开(公告)号：CN101447491B

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200810180770.3

申请日：2004-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚益 ,  全宰弘 ,  崔权永 ,  李正荣

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L23/522 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：基片；第一信号线，在基片上形成；第二信号线，在基片上形成并且与第一信号线交叉；薄膜晶体管，包含与第一信号线连接且具有与第一信号线基本平行的边缘的栅极、与第二信号线连接的源极、及与栅极的边缘交叉的漏极；以及像素电极，与漏极连接，其中，像素电极和漏极位于基片上的不同的层上，半导体除具有凸起部外，具有与第二信号线相同的平面形状。

公开(公告)号：CN1623118A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02807592.7

申请日：2002-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓英美 ,  朴云用 ,  崔权永 ,  朴明在

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F2001/13625

Abstract: 在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中，在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区，并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光，从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如，当沿压合区的横向向右行进时分配给左侧的单元压合区的数量逐渐减少，而分配给右侧的单元压合区的数量逐渐增多。一个单元压合区包括一个通过将一个像素划分成至少两部分所获得的一个区域。

公开(公告)号：CN1591144A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410057090.4

申请日：2004-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴旻昱 ,  全相镇 ,  朴正浚 ,  李正荣 ,  白范基 ,  柳世桓 ,  郭相基 ,  李翰柱 ,  崔权永

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下工序：在基片上形成栅极线；在栅极线上依次沉积栅极绝缘层和半导体层；在半导体层上依次沉积下层导电薄膜和上层导电薄膜；光蚀刻上层导电薄膜、下层导电薄膜、和半导体层；沉积钝化层；光蚀刻钝化层以露出上层导电薄膜的第一和第二部分；除去上层导电薄膜的第一和第二部分以露出下层导电薄膜的第一和第二部分；形成像素电极和一对分别在下层导电薄膜第一和第二部分上的冗余电极，冗余电极露出下层导电薄膜第二部分的一部分；除去下层导电薄膜第二部分的露出部分以露出半导体层的一部分；以及在半导体层的露出部分上形成柱状隔离物。