公开(公告)号：CN100388506C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN02812690.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林承泽 ,  洪雯杓 ,  卢南锡 ,  宋泳周 ,  郭相基 ,  崔权永 ,  宋根圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。

公开(公告)号：CN1628389A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02812690.4

申请日：2002-04-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林承泽 ,  洪雯杓 ,  卢南锡 ,  宋泳周 ,  郭相基 ,  崔权永 ,  宋根圭

IPC: H01L29/786 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1345

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/53223 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在制造用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列衬底的方法中，在衬底(10)上形成含铬基下层(111，601)和铝合金基上层(112，602)并水平延伸的栅极线组件(11)。栅极线组件具有栅极线(22)、栅极电极(26)和栅极垫(24)。在绝缘衬底(10)上沉积覆盖栅极线组件的栅极绝缘层(30)。在栅极绝缘层(30)上顺序形成半导体层(40)和欧姆接触层(55，56)。在欧姆接触层上形成含铬基下层(601)和铝合金基上层(602)的数据线组件(62)。数据线组件具有交叉在栅极线(22)上方的数据线(62)、源极电极(65)和漏极电极(66)、及数据垫(68)。在衬底上沉积保护层(70)并对其构图，形成暴露漏极电极(66)、栅极垫(24)和数据垫(68)的接触孔(13，74，76，78)。栅极线组件和数据线组件的下层(601)的侧壁经接触孔(13，74，76，78)暴露。在衬底上沉积IZO基层(14)并对其构图，形成像素电极(82)、辅助栅极垫(86)及辅助数据垫(88)。像素电极(82)连接漏极电极(66)的侧壁，辅助栅极及数据垫(86，88)连接栅极及数据垫(24，68)的侧壁。