-
公开(公告)号：CN100420025C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02826910.1
申请日：2002-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。该栅极绝缘层覆盖栅极布线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在数据布线上形成钝化层。在钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线及数据布线由含有Ag和包括选自Zn、In、Sn、及Cr中至少一种的添加剂的银合金组成。
-
公开(公告)号：CN1613152A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02826910.1
申请日：2002-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基片、形成于该绝缘基片上的栅极布线。该栅极绝缘层覆盖栅极布线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层和半导体图案上形成具有源极、漏极、和数据线的数据布线。在数据布线上形成钝化层。在钝化层上形成通过接触孔与漏极连接的像素电极。栅极布线及数据布线由含有Ag和包括选自Zn、In、Sn、及Cr中至少一种的添加剂的银合金组成。
-
公开(公告)号：CN1495478A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
-
公开(公告)号：CN100465704C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN03164805.3
申请日：2003-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/133 , H01L21/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , G03F7/00
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/13439 , G02F1/136227 , G02F1/136286 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
