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公开(公告)号：CN100357831C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN02807592.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/22
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F2001/13625
Abstract: 在一种利用对一个衬底分区曝光制造液晶显示器的方法中，在相邻拍摄区之间的边界处设置一个重叠区，并且分别以拍摄区的面积逐渐减小和增大的方式对边界左侧和右侧拍摄区曝光，从而减小两个拍摄区之间由于压合误差所致的亮度差。例如，当沿压合区的横向向右行进时分配给左侧的单元压合区的数量逐渐减少，而分配给右侧的单元压合区的数量逐渐增多。一个单元压合区包括一个通过将一个像素划分成至少两部分所获得的一个区域。
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公开(公告)号：CN1577019A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410059475.4
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，包括具有栅极的栅极线；与像素电极重叠并形成存储电容的存储电极；在栅极线上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成并具有两个以上弯曲部分和与栅极线交叉部分的数据线；以栅极为中心分别与源极面对并相接半导体层的漏极；覆盖半导体层的钝化层；在钝化层上形成并与漏极电连接，与数据线邻接的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管显示板和与像素电极面对形成液晶电容的共同电极的共同电极显示板。
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公开(公告)号：CN1524202A
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN02802928.3
申请日：2002-03-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F9/00 , G09F9/30 , G02F1/133 , H01L21/027
CPC classification number: G03F9/7084 , G02F2001/13625 , G03F1/50 , G03F7/70475 , G03F7/70791
Abstract: 一种用于利用基板制造液晶显示器的掩模，包括具有中心线的位于基板中心的第一掩模图形，以对基板中心进行曝光。第二掩模图形位于第一掩模图形左侧，以对基板左侧进行曝光。该第二掩模图形与第一掩模图形相距第一距离。第三掩模图形位于第一掩模图形右侧，以对基板右侧进行曝光。第三掩模图形与第一掩模图形相距第二距离。
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公开(公告)号：CN100437306C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200310115221.5
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN1291280C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN02807476.9
申请日：2002-03-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20 , G02F1/1362
CPC classification number: G03F7/0007 , G02F1/1362 , G02F2001/13625 , G03F7/0035 , Y10S438/946
Abstract: 本发明涉及一种在衬底上形成图案的方法以及利用该方法制作液晶显示板的方法。为了减少压合缺陷，各个图案层的拍摄区边界线彼此不重叠以分散。具体地说，根据本发明形成图案的方法，在首先形成第一材料层之后，通过在第一材料层上执行第一光蚀刻形成第一图案，其中第一光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个区域进行分区曝光。随后，在第一图案上形成第二材料层之后，通过在第二材料层上执行第二光蚀刻形成一个第二图案，其中第二光蚀刻包括对在至少一个拍摄区边界线两侧的至少两个拍摄区进行分区曝光，在第二光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线与第一光蚀刻中的至少一个拍摄区边界线隔开。通过利用此形成方法制作一种液晶显示板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1577026A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071006.4
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 卓英美
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/133512
Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示面板的方法，包括以下工序：在包括有效区域的基片上形成负性感光性材料组成的有机层，然后将有效区域分割为包括第一景和第二景的多个景，曝光有机层，通过显像有机层形成对应像素区域具有开口部的黑阵。这时，设置第一景和第二景界面部分，使其横穿开口部或位于黑阵界面线内。
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公开(公告)号：CN101369588B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810161853.8
申请日：2003-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/124 , H01L29/78696
Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。
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公开(公告)号：CN100414410C
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200410071006.4
申请日：2004-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 卓英美
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: G02F1/133512
Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示面板的方法，包括以下工序：在包括有效区域的基片上形成负性感光性材料组成的有机层，然后将有效区域分割为包括第一景和第二景的多个景，曝光有机层，通过显像有机层形成对应像素区域具有开口部的黑阵。这时，设置第一景和第二景界面部分，使其横穿开口部或位于黑阵界面线内。
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公开(公告)号：CN1577019B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200410059475.4
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/133707 , G02F1/134336 , G02F1/1393 , G02F2001/136222
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器，包括具有栅极的栅极线；与像素电极重叠并形成存储电容的存储电极；在栅极线上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成并具有两个以上弯曲部分和与栅极线交叉部分的数据线；以栅极为中心分别与源极面对并相接半导体层的漏极；覆盖半导体层的钝化层；在钝化层上形成并与漏极电连接，与数据线邻接的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管显示板和与像素电极面对形成液晶电容的共同电极的共同电极显示板。
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公开(公告)号：CN100442509C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410080736.0
申请日：2004-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/133707 , G02F1/1393
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘基片；栅极线，形成于绝缘基片上，并具有栅极；第一及第二存储电极线，位于相邻的栅极线之间，沿栅极线平行方向延伸；多个存储电极，电连接第一及第二存储电极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线、存储电极线、及存储电极；半导体层，形成于栅极绝缘层上；数据线，具有与半导体层至少一部分重叠的源极和与栅极线交叉的交叉部分及具有与交叉部分连接并以规定角度弯曲部分；漏极，以栅极为中心与源极面对、与半导体层至少一部分重叠；钝化层，覆盖半导体层；像素电极，形成于钝化层上并与漏极电连接；存储电极连接桥，形成于钝化层上，与栅极线交叉，电连接相邻像素的存储电极线。
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