公开(公告)号：CN100442509C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410080736.0

申请日：2004-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权恩美 ,  申爱 ,  白承洙 ,  卓英美

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1393

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘基片；栅极线，形成于绝缘基片上，并具有栅极；第一及第二存储电极线，位于相邻的栅极线之间，沿栅极线平行方向延伸；多个存储电极，电连接第一及第二存储电极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线、存储电极线、及存储电极；半导体层，形成于栅极绝缘层上；数据线，具有与半导体层至少一部分重叠的源极和与栅极线交叉的交叉部分及具有与交叉部分连接并以规定角度弯曲部分；漏极，以栅极为中心与源极面对、与半导体层至少一部分重叠；钝化层，覆盖半导体层；像素电极，形成于钝化层上并与漏极电连接；存储电极连接桥，形成于钝化层上，与栅极线交叉，电连接相邻像素的存储电极线。

公开(公告)号：CN1606161A

公开(公告)日：2005-04-13

申请号：CN200410080736.0

申请日：2004-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权恩美 ,  申爱 ,  白承洙 ,  卓英美

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC classification number: G02F1/134336 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1393

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘基片；栅极线，形成于绝缘基片上，并具有栅极；第一及第二存储电极线，位于相邻的栅极线之间，沿栅极线平行方向延伸；多个存储电极，电连接第一及第二存储电极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线、存储电极线、及存储电极；半导体层，形成于栅极绝缘层上；数据线，具有与半导体层至少一部分重叠的源极和与栅极线交叉的交叉部分及具有与交叉部分连接并以规定角度弯曲部分；漏极，以栅极为中心与源极面对、与半导体层至少一部分重叠；钝化层，覆盖半导体层；像素电极，形成于钝化层上并与漏极电连接；存储电极连接桥，形成于钝化层上，与栅极线交叉，电连接相邻像素的存储电极线。