薄膜晶体管
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102832253A

    公开(公告)日:2012-12-19

    申请号:CN201210194975.3

    申请日:2012-06-13

    CPC classification number: H01L29/7869 H01L29/45 H01L29/78618

    Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅极电极、栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的氧化物半导体层、位于氧化物半导体层上并彼此隔开的漏极电极和源极电极。所述漏极电极包括在氧化物半导体层上的第一漏极子电极和在第一漏极子电极上的第二漏极子电极。所述源极电极包括在氧化物半导体层上的第一源极子电极和在第一源极子电极上的第二源极子电极。第一漏极子电极和第一源极子电极包括镓锌氧化物(GaZnO),第二源极子电极和第二漏极子电极包括金属原子。

    布线、薄膜晶体管、薄膜晶体管面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN102651402A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210046417.2

    申请日:2012-02-24

    Abstract: 本发明提供了一种布线、一种薄膜晶体管、一种薄膜晶体管面板及其制造方法。薄膜晶体管包括:栅电极;栅极绝缘层,位于栅电极上;半导体,位于栅极绝缘层上;漏电极和源电极,位于半导体上并且彼此分隔开。漏电极和源电极中的每个包括防止金属原子的扩散的第一金属扩散防止层和位于第一金属扩散防止层上的第二金属扩散防止层。第一金属扩散防止层和第二金属扩散防止层中的至少一个包括沿基本垂直于半导体的方向的柱状结构的晶粒。第一金属扩散防止层的第一晶界和第二金属扩散防止层的第二晶界在沿垂直于半导体的方向上基本是不连续的。

    激光修复系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101265022A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200810095142.5

    申请日:2008-02-22

    CPC classification number: B23K26/066

    Abstract: 一种激光器修复系统,包括产生激光的振荡器,和狭缝单元,所述激光照射在所述狭缝单元上,并且所述狭缝单元包括激光阻挡部件、第一狭缝部件和第二狭缝部件,其中所述狭缝单元的激光阻挡部件不透射照射在该激光阻挡部件上的激光,并且通过所述第一狭缝部件的光量大于通过所述第二狭缝部件的光量。

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