公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。

公开(公告)号：CN1976044A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610140028.0

申请日：2006-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金周汉 ,  林淳权 ,  朴弘植 ,  金時烈 ,  李殷国 ,  裴良浩 ,  李炳珍 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  申原硕 ,  康盛旭

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。

公开(公告)号：CN1812109A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN101487960A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001897.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  朴弘植 ,  尹珠爱 ,  金炳范 ,  李炳珍

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。

公开(公告)号：CN100446260C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510130269.2

申请日：2005-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  李制勋 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/52 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明公开了一种TFT阵列面板，包括：下部铝层；氮化铝层，形成于下部铝层上；以及上部铝层，形成于氮化铝层上。这种包括铝布线的TFT阵列面板减少乃至防止形成可能引起短路的小丘。本发明还公开了一种制造这种TFT阵列面板的方法。

公开(公告)号：CN1945813A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610152439.1

申请日：2006-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裴良浩 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  赵范锡

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G03F7/20 ,  G03F7/004 ,  G03F7/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法。该方法包括：在基板上形成包括栅电极的栅极线；在栅极线上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成欧姆接触件；在欧姆接触件上形成包括源电极和漏电极的数据线；沉积第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第一光刻胶；利用第一光刻胶作为蚀刻掩膜对第二绝缘层和第一绝缘层进行蚀刻，以露出漏电极的一部分和基板的一部分；利用选择性沉积，形成连接至漏电极的已露出部分的像素电极；以及去除第一光刻胶。