公开(公告)号：CN102044556A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010504450.6

申请日：2010-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔新逸 ,  丁有光 ,  李基晔 ,  杨东周 ,  宋溱镐

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板以及一种防止在信号线上形成杂质粒子的薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括：基板；信号线，设置在基板上并包括铜(Cu)；钝化层，设置在信号线上并具有暴露信号线的一部分的接触孔；以及导电层，设置在钝化层上，并通过接触孔连接至信号线的该部分，其中，钝化层包括有机钝化层，有机钝化层包括不包含硫的有机绝缘体。

公开(公告)号：CN100397660C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN02825279.9

申请日：2002-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔埈厚 ,  崔凡洛 ,  姜明求 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。

公开(公告)号：CN1320488C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03823930.2

申请日：2003-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  崔埈厚

IPC: G06K9/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G06K9/0004 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312

Abstract: 公开了一种具有用于提高开口率和TFT-LCD面板的透射率的指纹识别装置的液晶显示装置。指纹识别基板(400)贴附到TFT基板(300)上。该TFT基板具有阵列上彩色滤光片结构，该结构可取消彩色滤光片(336)和薄膜晶体管的不对准，增大了开口率，且提高了图像显示质量。此外，透射率随着液晶显示装置中所用的玻璃基板数量的减少而增大，因此提高了指纹识别的灵敏度。

公开(公告)号：CN1639872A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02825279.9

申请日：2002-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔埈厚 ,  崔凡洛 ,  姜明求 ,  姜淑映

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制造方法。在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，并且通过横向结晶工序进行结晶，同时用激光照射非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，利用包含按3∶1∶2比例混合的Cl2、SF6、Ar混合气体通过等离子干蚀刻除去从多晶硅薄膜表面突出的突出部，以对多晶硅薄膜表面进行平坦化处理，然后制作布线图案形成半导体层。形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层对面的栅极绝缘层上形成栅极。通过向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极和漏极区域，并形成分别与源极和漏极区域电连接的源极和漏极。

公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：CN1689025A

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03823930.2

申请日：2003-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  梁成勋 ,  蔡钟哲 ,  崔埈厚

IPC: G06K9/00 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G06K9/0004 ,  G02F1/13338 ,  G02F2001/13312

Abstract: 公开了一种具有用于提高开口率和TFT－LCD面板的透射率的指纹识别装置的液晶显示装置。指纹识别基板(400)贴附到TFT基板(300)上。该TFT基板具有阵列上彩色滤光片结构，该结构可取消彩色滤光片(336)和薄膜晶体管，增大了开口率，且提高了图像显示质量。此外，透射率随着液晶显示装置中所用的玻璃基板数量的减少而增大，因此提高了指纹识别的灵敏度。

公开(公告)号：CN102347274A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110217498.3

申请日：2011-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 杨东周 ,  丁有光 ,  宋溱镐 ,  李基晔 ,  崔新逸 ,  金泰佑

IPC: H01L21/77 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/32138 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明涉及制造薄膜晶体管阵列面板的方法及减少杂质缺陷的方法。一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法包括：形成栅线；在栅线上形成绝缘层；形成第一硅层、第二硅层、第一金属层和第二金属层；形成具有第一部分和第二部分的光致抗蚀剂图案；通过蚀刻第一金属层和第二金属层来形成第一金属图案和第二金属图案；用SF6或SF6/He处理第一金属图案；通过蚀刻第二硅层和第一硅层来形成硅图案和半导体图案；去除光致抗蚀剂图案的第一部分；通过湿蚀刻第二金属图案来形成数据配线的上层；通过蚀刻第一金属图案和硅图案来形成数据配线的下层和欧姆接触；在上层上形成包括接触孔的钝化层；及在钝化层上形成像素电极。

公开(公告)号：CN102191467A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110034991.1

申请日：2011-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柄范 ,  朴帝亨 ,  尹在亨 ,  宋溱镐 ,  金钟仁

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/18 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及金属布线、薄膜制造方法、TFT阵列面板及其制造方法。一种根据本发明示例性实施例的形成薄膜的方法包括以范围在大约1.5W/cm2至大约3W/cm2的功率密度以及以范围在大约0.2Pa至大约0.3Pa的惰性气体的压力形成薄膜。即使当该阻挡层比许多传统的阻挡层薄时，该工艺也获得了防止不期望的来自相邻层的扩散的非晶金属薄膜阻挡层。

公开(公告)号：CN102110693A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010570100.X

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑敞午 ,  孙宇成 ,  金东奎 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  宋溱镐

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，所述薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上。数据线和漏极具有双层结构，所述双层结构包括下层和上层，并且下层具有突出到上层外部的第一部分，半导体层具有突出到下层的边缘外部的第二部分。

公开(公告)号：CN102104049A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010570119.4

申请日：2010-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋溱镐 ,  崔新逸 ,  洪瑄英 ,  金时烈 ,  李基晔 ,  尹在亨 ,  金成烈 ,  徐五成 ,  裴良浩 ,  郑钟铉 ,  杨东周 ,  金俸均 ,  吴和烈 ,  洪泌荀 ,  金柄范 ,  朴帝亨 ,  丁有光 ,  金钟仁 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L23/52 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。