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公开(公告)号:CN103855133B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201310646036.2
申请日:2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件,该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括:衬底;熔丝,所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案,所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上,并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开,使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置;以及第一绝缘层,所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上,所述第一绝缘层包括开口,所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN103855133A
公开(公告)日:2014-06-11
申请号:CN201310646036.2
申请日:2013-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 本发明公开了具有熔丝图案的半导体器件,该半导体器件通过防止经由修复工序切断的熔丝由于电化迁移而重新电连接来提高可靠性。该半导体器件包括:衬底;熔丝,所述熔丝包括第一熔丝图案和第二熔丝图案,所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案形成在所述衬底上并位于相同水平面上,并且所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案以第一宽度彼此间隔开,使得所述熔丝中的间隙位于所述第一熔丝图案与所述第二熔丝图案之间的第一位置;以及第一绝缘层,所述第一绝缘层形成在所述第一熔丝图案和所述第二熔丝图案上,所述第一绝缘层包括开口,所述开口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号:CN110875263A
公开(公告)日:2020-03-10
申请号:CN201910784807.1
申请日:2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、绝缘膜和光敏膜。衬底包括半导体芯片区域和沿着半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域。绝缘膜包括设置在半导体芯片区域上的第一部分、设置在划片槽区域上并与第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分。光敏膜设置在绝缘膜上,并且具有暴露在绝缘膜的第二部分上的侧壁。第三部分的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。
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公开(公告)号:CN110875263B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN201910784807.1
申请日:2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、绝缘膜和光敏膜。衬底包括半导体芯片区域和沿着半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域。绝缘膜包括设置在半导体芯片区域上的第一部分、设置在划片槽区域上并与第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分。光敏膜设置在绝缘膜上,并且具有暴露在绝缘膜的第二部分上的侧壁。第三部分的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。
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公开(公告)号:CN110136862B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN201910504815.6
申请日:2014-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了具有X射线吸收滤波器的X射线系统、半导体封装和托盘。X射线源被设置,检测器邻近于X射线源设置。测试样品支架设置在X射线源和检测器之间。滤波器设置在X射线源和测试样品支架之间。滤波器具有板状半导体、粒状半导体或其组合。
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公开(公告)号:CN110136862A
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201910504815.6
申请日:2014-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了具有X射线吸收滤波器的X射线系统、半导体封装和托盘。X射线源被设置,检测器邻近于X射线源设置。测试样品支架设置在X射线源和检测器之间。滤波器设置在X射线源和测试样品支架之间。滤波器具有板状半导体、粒状半导体或其组合。
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