公开(公告)号：CN110875263A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910784807.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵浩成 ,  李相权 ,  金相荣

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、绝缘膜和光敏膜。衬底包括半导体芯片区域和沿着半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域。绝缘膜包括设置在半导体芯片区域上的第一部分、设置在划片槽区域上并与第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分。光敏膜设置在绝缘膜上，并且具有暴露在绝缘膜的第二部分上的侧壁。第三部分的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。

公开(公告)号：CN110875263B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN201910784807.1

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵浩成 ,  李相权 ,  金相荣

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、绝缘膜和光敏膜。衬底包括半导体芯片区域和沿着半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域。绝缘膜包括设置在半导体芯片区域上的第一部分、设置在划片槽区域上并与第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分。光敏膜设置在绝缘膜上，并且具有暴露在绝缘膜的第二部分上的侧壁。第三部分的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。