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公开(公告)号：CN112310074A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN109148409A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810684173.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3171 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/034 , H01L2224/0346 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05084 , H01L2224/05086 , H01L2224/05547 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/0603 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11849 , H01L2224/13014 , H01L2224/13022 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L23/49816 , H01L23/49838
Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。
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公开(公告)号：CN113809035A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110655309.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
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公开(公告)号：CN110914977A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047748.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供维持热传导性、并且不易产生可靠性的降低的电子部件。在基板安装有半导体晶片。密封树脂层密封半导体晶片。密封树脂层包括粘合剂、和由分散于粘合剂内的多个粒子构成的两种填料。作为两种填料，使用平均粒径和密度中至少一个物理量不同的填料。密封树脂层内的填料的体积密度为，从基板起朝向上方降低，密封树脂层的在高度方向上的局部包括两种填料混合存在的区域。
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公开(公告)号：CN105849873A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070604.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/737
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L29/0692 , H01L29/0817 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/66234 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/6631 , H01L29/66318 , H01L29/732 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/7375 , H01L29/7378 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2224/13013 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13026 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13563 , H01L2224/13611 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/10329 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/13051 , H01L2924/13055 , H01L2924/1423 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112310074B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010757022.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L23/31 , H01L23/528 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供缓和热应力且可靠性较高的半导体装置。在基板之上配置有至少一个单位晶体管。在至少一个单位晶体管之上配置有成为流向各个单位晶体管的电流的路径的第一布线。在第一布线之上配置有无机绝缘膜。在无机绝缘膜设置有在俯视时与第一布线的一部分区域重叠的至少一个第一开口。在无机绝缘膜之上配置有有机绝缘膜。在有机绝缘膜以及无机绝缘膜之上配置有通过第一开口与第一布线连接的第二布线。在俯视时，在配置有第一布线的区域的外侧，设置有未配置有机绝缘膜的区域，在配置有第一布线的区域的外侧，第二布线与无机绝缘膜接触。
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公开(公告)号：CN110660794B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910566478.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
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公开(公告)号：CN114270500A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080056304.3
申请日：2020-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供高频模块，抑制电子部件从安装基板剥离，且减少在将高频模块安装于外部基板时对电子部件施加的应力。安装基板(2)具有一个主面(第一主面21)。电子部件(3)具有第一面(31)、第二面(32)以及侧面(33)，且设置在安装基板(2)的一个主面上。焊锡凸块(5)配置在安装基板(2)与电子部件(3)之间，电连接安装基板(2)和电子部件(3)。树脂层(7)设置在安装基板(2)的一个主面上以覆盖电子部件(3)。第一面(31)是电子部件(3)中的与安装基板(2)相反侧的面。电子部件(3)的侧面(33)与树脂层(7)接触。在安装基板(2)的厚度方向(D1)上，在第一面(31)的至少一部分与树脂层(7)之间设置有空间(10)。
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公开(公告)号：CN118016604A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311461531.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电子部件以及电子部件的制造方法，该电子部件包含即使产生裂缝也不容易产生可靠性的降低的电容器。配置有电容器，该电容器在由化合物半导体构成的基板的一个面即上表面的一部分的区域上，包含从基板侧依次层叠的下层电极、电介质膜、以及上层电极。在比电介质膜靠近上方，配置有由绝缘性的金属氧化物或者硅氧化物构成的覆膜。在俯视上表面时，覆膜遍及下层电极的边缘的整周，从比下层电极的边缘靠内侧的区域扩展到外侧的区域。
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公开(公告)号：CN109148409B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810684173.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。
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