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公开(公告)号：CN116581102A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310097476.0
申请日：2023-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/538 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在接合不同的部件的构造中，确保散热性，并且难以产生高频波放大电路的特性劣化、振荡。第二部件的第二面与第一部件的第一面对置。在第二部件中包含高频放大电路。通过配置在第一面与第二面之间的导电性的接合部件将第一部件和第二部件接合。高频放大电路包括：至少一个功率级晶体管；与功率级晶体管连接并向功率级晶体管供给输入信号的输入布线；和与输入布线连接，并包含无源元件、有源元件以及外部连接端子中的至少一个的输入侧电路单元。接合部件包括俯视时包含功率级晶体管的第一导体图案，在俯视时，输入侧电路单元配置在第一导体图案的外侧。
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公开(公告)号：CN114696864A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111516426.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。包含高频放大电路的半导体装置以及频带选择开关安装于模块基板。输出匹配电路包含设置于模块基板的至少一个无源元件，并连接在高频放大电路与频带选择开关之间。半导体装置包含：第一部件，包含元素半导体系的半导体部分；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，输出匹配电路配置在频带选择开关的附近。
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公开(公告)号：CN114649324A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111542079.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F1/30 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部区域配置有多个电路模块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含至少一个电路模块。导体突起从第二部件向与第一部件侧相反的一侧突出。第二部件的电路模块中的一个电路模块构成第一放大电路，该第一放大电路包含相互并联连接的多个第一晶体管。在俯视时，第一部件的多个电路模块中的至少一个电路模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。
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公开(公告)号：CN114649276A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553324.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。
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公开(公告)号：CN114373724A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111150119.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供能够使半导体元件的散热特性提高的半导体模块。在第一部件的下表面设置有第一导体突起。并且，在第一部件的下表面接合有第二部件。第二部件在俯视下与第一部件相比较小，且在内部包含半导体元件。设置有第二导体突起，该第二导体突起设置于第二部件，与第一导体突起向同一方向突出。第一部件以及第二部件经由第一导体突起以及第二导体突起安装于模块基板。在模块基板的安装面上设置有覆盖第一部件的表面的至少一部分的区域，并且具有与第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面的密封材料。在密封材料的顶面和侧面、以及模块基板的侧面设置有金属膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113890495A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110701074.8
申请日：2021-06-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，功率放大电路(100)具备：单端放大器(1)，其在第一模式的情况下以及在与第一模式不同的第二模式的情况下进行动作；差动放大器(2)，其在第二模式的情况下进行动作；第一平衡不平衡变压器(3)，其将单端放大器(1)的不平衡输出信号转换成差动信号并向差动放大器(2)输出；第二平衡不平衡变压器(4)，其将差动放大器(2)的平衡输出信号转换成不平衡输出信号；以及第一开关电路(5)，其在第一模式中输出单端放大器(1)的不平衡输出信号，在第二模式中输出第二平衡不平衡变压器(4)的不平衡输出信号。据此，能够通过简易的结构得到能够切换增益的功率放大电路。
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公开(公告)号：CN110995182A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910907815.0
申请日：2019-09-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够适当地进行包络线跟踪。功率放大电路包含：第1晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第1高频信号，从集电极输出第3高频信号；第2晶体管，发射极与公共电位电连接，在基极被输入第2高频信号，从集电极输出第4高频信号；第1电容电路，电连接在第2晶体管的集电极与第1晶体管的基极之间；和第2电容电路，电连接在第1晶体管的集电极与第2晶体管的基极之间。
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公开(公告)号：CN118737982A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410363882.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L23/528
Abstract: 提供能够提高从高频放大电路的晶体管散热的散热性的半导体装置、半导体模块和搭载半导体装置的系统。复合基板包含第1构件和设于作为第1构件的一个面的第1面的第2构件。第1导体突起从第2构件向第1面所朝向的方向突出。第2导体突起从复合基板向第1面所朝向的方向突出。第1构件包含第1半导体基板，第2构件包含与第1半导体基板相比导热率较低的第2半导体基板。在第2构件设有包含多个第1晶体管的高频放大电路。第1导体突起与多个第1晶体管电连接，在俯视第1面时与多个第1晶体管至少局部重叠。复合基板包含从第2导体突起到达第1半导体基板或第2半导体基板的连接部分。
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公开(公告)号：CN118369766A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202280081611.6
申请日：2022-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种双极晶体管和半导体装置。形成有台面结构，该台面结构包含层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。在台面结构上配置有与发射极层电连接的发射极电极。并且，在台面结构上配置有与基极层电连接的基极电极。集电极电极配置为在俯视时包围台面结构，集电极电极与集电极层电连接。发射极电极包含第一部分和第二部分。在俯视时，基极电极包围发射极电极的第一部分，发射极电极的第二部分包围基极电极。
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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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