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公开(公告)号：CN116601756A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180079660.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52)；第二基材(72)，该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成，在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11)；以及高热导构件(73)，该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成，该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间，其中，在俯视视图中，高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠，高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
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公开(公告)号：CN107888204B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710493156.1
申请日：2017-06-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的收发模块抑制因重叠于接收信号的发送信号所引起的接收信号的接收灵敏度的劣化。收发模块(10)包括：对第1发送信号及第2发送信号进行功率放大的功率放大器(30)；对第1接收信号及第2接收信号进行低噪声放大的低噪声放大器(40)；调整对于第1接收信号及第2接收信号的阻抗的移相电路(70、80)；以及将抵消通过接收滤波器(65)的第1发送信号的抵消信号提供至移相电路(80)的输出节点(82)的校正电路(200)。
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公开(公告)号：CN116601757A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202180080607.3
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/00
Abstract: 高频模块(1)具备：模块基板(90)，其具有主面(90a)；集成电路(70)，其配置于主面(90a)，形成有功率放大电路(11)；以及SMD(41d)，其配置于主面(90a)，形成有与功率放大电路(11)直接连接的电路元件，其中，集成电路(70)具备：第一基材(71)，第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材(72)，第二基材(72)的至少一部分由第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)，第一基材(71)具有在俯视时彼此相向的边(71s1)和(71s2)，在俯视时，SMD(41d)离边(71s1)比离边(71s2)更近，在俯视时，第二基材(72)比第一基材(71)小，第二基材(72)在离边(71s1)比离边(71s2)更近的位置处与第一基材(71)重叠。
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公开(公告)号：CN116583948A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202180081993.8
申请日：2021-10-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L25/00
Abstract: 高频模块(1A)具备：模块基板(80)，其具有彼此相向的主面(80a及80b)；第一基材(10)，该第一基材(10)的至少一部分由第一半导体材料构成；以及第二基材(20)，该第二基材(20)的至少一部分由热导率比第一半导体材料的热导率高的第二半导体材料构成，在该第二基材(20)形成有功率放大电路(21)，其中，第一基材(10)和第二基材(20)配置于主面(80a)，第二基材(20)配置于模块基板(80)与第一基材(10)之间，且与第一基材(10)接合，且经由电极(23)而与主面(80a)连接，第一基材(10)和第二基材(20)中的一方经由电极(24)而与主面(80a)连接，在俯视模块基板(80)的情况下，电极(23)的面积比电极(24)的面积大。
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公开(公告)号：CN116325518A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202180066950.2
申请日：2021-09-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/00
Abstract: 本发明谋求第1路径与第2路径之间的隔离度的提高。高频模块(1)能够在能进行利用第1滤波器(21)和第2滤波器(22)双方的同时发送或同时接收或同时收发的第1模式、和能进行仅利用第1滤波器(21)的发送或接收的第2模式下进行动作。第1开关元件(Q1)设置于在第1模式时在天线端子(80)与第1滤波器(21)之间能够利用的第1路径(r11)，第2开关元件(Q2)设置于第1路径(r11)与接地之间。第3开关元件(Q3)设置于在第2模式时在天线端子(80)与第1滤波器(21)之间能够利用的第2路径(r12)，第4开关元件(Q4)设置于第2路径(r12)与接地之间。高频模块(1)还具备相位电路(7)。
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公开(公告)号：CN114759883A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210543543.2
申请日：2018-05-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 吉见俊二
Abstract: 本发明提供一种改善了发送信号的放大效率的应对多频段的低噪声放大模块，其具备：第一滤波器电路；第二滤波器电路；至少一个低噪声放大电路；接收输入开关，将从第一滤波器电路输出的第一接收信号以及从第二滤波器电路输出的第二接收信号分别选择性地发送到至少一个低噪声放大电路中的一个；以及第二调谐电路，基于第一滤波器电路以及第二滤波器电路与至少一个低噪声放大电路之间的阻抗匹配的状态的变化，对阻抗匹配进行调整，第二调谐电路连接在接收输入开关与至少一个低噪声放大电路之间。
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公开(公告)号：CN114696864A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111516426.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明提供一种高频模块，能够抑制信号传输损耗的增大，并且提高从半导体装置的散热特性。包含高频放大电路的半导体装置以及频带选择开关安装于模块基板。输出匹配电路包含设置于模块基板的至少一个无源元件，并连接在高频放大电路与频带选择开关之间。半导体装置包含：第一部件，包含元素半导体系的半导体部分；和第二部件，与第一部件面接触地接合，并形成有包含化合物半导体系的半导体元件的高频放大电路。在俯视时，半导体装置配置在输出匹配电路的附近，输出匹配电路配置在频带选择开关的附近。
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公开(公告)号：CN114649324A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111542079.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F1/30 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部区域配置有多个电路模块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含至少一个电路模块。导体突起从第二部件向与第一部件侧相反的一侧突出。第二部件的电路模块中的一个电路模块构成第一放大电路，该第一放大电路包含相互并联连接的多个第一晶体管。在俯视时，第一部件的多个电路模块中的至少一个电路模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。
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公开(公告)号：CN114649276A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553324.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。
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公开(公告)号：CN114373724A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111150119.3
申请日：2021-09-29
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/66
Abstract: 本发明提供能够使半导体元件的散热特性提高的半导体模块。在第一部件的下表面设置有第一导体突起。并且，在第一部件的下表面接合有第二部件。第二部件在俯视下与第一部件相比较小，且在内部包含半导体元件。设置有第二导体突起，该第二导体突起设置于第二部件，与第一导体突起向同一方向突出。第一部件以及第二部件经由第一导体突起以及第二导体突起安装于模块基板。在模块基板的安装面上设置有覆盖第一部件的表面的至少一部分的区域，并且具有与第一部件的顶面朝向同一方向的顶面、以及与顶面连续的侧面的密封材料。在密封材料的顶面和侧面、以及模块基板的侧面设置有金属膜。
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