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公开(公告)号：CN118451656A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202280084251.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的跟踪器模块(100)具备模块基板(90)和配置于模块基板(90)的集成电路(80)，集成电路(80)包括：预调器电路(10)所包含的至少一个开关；开关电容器电路(20)所包含的至少一个开关；输出开关电路(30A或30B)所包含的至少一个开关；与预调器电路(10)所包含的至少一个开关、开关电容器电路(20)所包含的至少一个开关、输出开关电路(30A或30B)所包含的至少一个开关中的至少一个开关连接的电源端子；以及接受DCL信号的控制端子，在俯视模块基板(90)时，电源端子比控制端子大。
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公开(公告)号：CN110462925A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020420.2
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 抑制输出端子处的反射损失的增大且进行双向检波。双向性耦合器具备检波端口、与第一端口及第二端口连接的主线路、副线路、终止电路、将副线路的一端及另一端分别与终止电路或检波端口连接的开关电路及设置在开关电路与检波端口之间且包括第一可变电容器、第一可变电感器或第一可变电阻器中至少任一方的匹配电路，在检波第一信号的第一模式时，开关电路将副线路的一端与检波端口连接，将另一端与终止电路连接，在检波第一信号的反射信号的第二模式时，开关电路将副线路的一端与终止电路连接，将另一端与检波端口连接，根据动作模式或第一信号的频带来控制第一可变电容器的电容值、第一可变电感器的电感值或第一可变电阻器的电阻值中至少任一方。
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公开(公告)号：CN114649307A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111552529.0
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/552 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供能够采用层叠结构并且能够抑制高频干扰的半导体装置。在第一部件形成包括半导体元件的第一电子电路。在第一部件的第一面的一部分区域接合第二部件。第二部件包括第二电子电路，该第二电子电路包括由与第一电子电路的半导体元件不同的半导体材料构成的半导体元件。层间绝缘膜覆盖第一部件的第一面中的不与第二部件接合的区域、以及第二部件。配置在层间绝缘膜之上的部件间连接布线通过设置于层间绝缘膜的开口将第一电子电路与第二电子电路连接。包括配置在层间绝缘膜之上的第一金属图案的屏蔽结构在高频率方面屏蔽作为第一电子电路的一部分的被屏蔽电路。
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公开(公告)号：CN114649324A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111542079.7
申请日：2021-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F1/30 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部区域配置有多个电路模块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含至少一个电路模块。导体突起从第二部件向与第一部件侧相反的一侧突出。第二部件的电路模块中的一个电路模块构成第一放大电路，该第一放大电路包含相互并联连接的多个第一晶体管。在俯视时，第一部件的多个电路模块中的至少一个电路模块与第二部件中的至少一个电路模块重叠。
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公开(公告)号：CN114649276A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111553324.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。第二部件与包含由元素半导体系构成的半导体区域的第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含化合物半导体系的高频放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件在内部包含检测温度的测温元件。
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公开(公告)号：CN116636006A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202180080606.9
申请日：2021-12-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L25/18
Abstract: 集成电路(70)具备：第一基材(71)，第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成，在俯视时，第一基材(71)具有中心区域(71a)和包围中心区域(71a)的周边区域(71b)；以及第二基材(72)，第二基材(72)的至少一部分由不同于第一半导体材料的第二半导体材料构成，在第二基材(72)形成有功率放大电路(11)，其中，在俯视时，第二基材(72)与中心区域(71a)重叠，且不与周边区域(71b)重叠。
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公开(公告)号：CN114743965A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111550976.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F3/19
Abstract: 本发明提供能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一面时，具有第一面的第一部件包含配置于第一面的内部的区域的多个电路块。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包括多个第一晶体管，多个第一晶体管相互并联连接而构成第一放大电路。导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。多个第一晶体管在俯视时配置于不与第一部件的多个电路块的任何一个电路块重叠的区域。
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公开(公告)号：CN114743964A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202111550704.2
申请日：2021-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/02 , H01L23/528 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供一种能够提高散热特性的半导体装置。在俯视第一部件的第一面时，在第一面的内部配置有包含开关的至少一个开关电路。第二部件与第一部件的第一面面接触地接合。第二部件包含构成高频放大电路的化合物半导体系的多个晶体管。第一导体突起从第二部件向第一部件侧的相反侧突出。第一部件包含电路元件，上述电路元件在俯视时配置于高频放大电路与至少一个开关电路之间，且不构成开关电路。
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