发明公开
CN116601756A 集成电路和高频模块
审中-实审
- 专利标题: 集成电路和高频模块
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申请号: CN202180079660.1申请日: 2021-11-15
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公开(公告)号: CN116601756A公开(公告)日: 2023-08-15
- 发明人: 山口幸哉 , 上岛孝纪 , 津田基嗣 , 竹松佑二 , 吉见俊二 , 荒屋敷聪 , 佐俣充则 , 后藤聪 , 佐佐木丰 , 青池将之
- 申请人: 株式会社村田制作所
- 申请人地址: 日本京都府
- 专利权人: 株式会社村田制作所
- 当前专利权人: 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址: 日本京都府
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 严美善
- 优先权: 2020-200130 20201202 JP
- 国际申请: PCT/JP2021/041931 2021.11.15
- 国际公布: WO2022/118645 JA 2022.06.09
- 进入国家日期: 2023-05-26
- 主分类号: H01L23/00
- IPC分类号: H01L23/00
摘要:
集成电路(70)具备:第一基材(71),该第一基材(71)的至少一部分由第一半导体材料构成,在该第一基材(71)形成有电气电路(例如控制电路(80)或开关电路(51、52);第二基材(72),该第二基材(72)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率低的热导率的第二半导体材料构成,在该第二基材(72)形成有功率放大电路(11);以及高热导构件(73),该高热导构件(73)的至少一部分由具有比第一半导体材料的热导率高的热导率的高热导材料构成,该高热导构件(73)配置于电气电路与功率放大电路(11)之间,其中,在俯视视图中,高热导构件(73)的至少一部分与第一基材(71)的至少一部分及第二基材(72)的至少一部分重叠,高热导构件(73)与第一基材(71)及第二基材(72)接触。
IPC分类: