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公开(公告)号：CN112564646B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011022062.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供关于电流的流动，难以产生非对称性的扩大，并且能够扩大SOA的单位组件。集电极层配置在基板之上，在俯视时划定一个连续的区域。基极层配置在集电极层之上，发射极层配置在基极层之上，并且发射极台面层配置在发射极层之上。在俯视时在发射极台面层的外侧并且在基极层的内侧，两个基极电极与基极层电连接。配置在基板之上的两个电容器被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第一布线之间。配置在基板之上的两个电阻元件被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第二布线之间。
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公开(公告)号：CN111668300B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010115755.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/735 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
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公开(公告)号：CN114823883A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210311146.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L27/102 , H01L29/10 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
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公开(公告)号：CN108461540B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810153959.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
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公开(公告)号：CN110391196A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910221467.1
申请日：2019-03-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体装置，在印刷电路基板安装半导体芯片。半导体芯片在基板的与印刷电路基板对置的第一面形成有源元件。在与有源元件不同的位置设置由热传导率比基板高的材料构成的热传导膜。在第一面上配置覆盖有源元件以及热传导膜的绝缘膜。在绝缘膜上设置与热传导膜电连接的凸块。设置从与第一面相反侧的第二面到达热传导膜的贯通导通孔。从在俯视时与有源元件重叠的第二面的区域到贯通导通孔的内面连续地配置由热传导率比基板高的材料构成的热传导部件。半导体芯片的凸块与印刷电路基板的连接盘连接，半导体芯片被密封树脂密封。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849873B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201480070604.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。
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公开(公告)号：CN105378904B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480038561.9
申请日：2014-06-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/122 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/6631
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×1015cm‑3，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×1015cm‑3，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×1010cm‑2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×1015cm‑3，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm‑2低。
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公开(公告)号：CN111725207B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010195743.4
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
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公开(公告)号：CN118039676A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410033691.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
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公开(公告)号：CN110739305B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN201910574024.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/082 , H01L21/331 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供在安装到外部基板时能够抑制电连接不良的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体基板；多个第一双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有第一高度；至少一个以上的第二双极晶体管，设置于半导体基板的第一主面侧，在与第一主面垂直的方向上，在发射层与发射极之间具有比第一高度高的第二高度；以及第一凸块，遍布多个第一双极晶体管和至少一个以上的第二双极晶体管而配置。
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