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公开(公告)号：CN117043957A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023303.8
申请日：2022-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737
Abstract: 本发明在双极晶体管的发射极层上配置有发射极电极。在发射极电极上配置有层间绝缘膜，在该层间绝缘膜设置有在俯视时包含于发射极电极的发射极接触孔。配置在层间绝缘膜上的发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在俯视时，发射极电极以及发射极接触孔具有在一个方向上较长的形状。发射极接触孔的长度为发射极电极的长度的85％以下，从发射极电极的两侧的端部中的每个端部到发射极接触孔的距离为发射极电极的长度的5％以上。通过该结构，能够进一步提高双极晶体管的动作时的温度的均匀性。
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公开(公告)号：CN113285681B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202110171481.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明提供高频功率放大元件，能够提高输入信号的振幅增大时的击穿耐压。在基板上配置有前级的第一放大电路、后级的第二放大电路、接地用外部连接端子。第一以及第二放大电路分别包括多个双极晶体管、以及与多个双极晶体管分别对应地配置的电容元件以及电阻元件。多个双极晶体管分别包括相互分离的高频用的第一基极电极以及偏置用的第二基极电极。第二放大电路的双极晶体管的发射极电极与接地用外部连接端子连接。在第二放大电路的多个双极晶体管中的至少一个双极晶体管中，第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔宽于第一放大电路的双极晶体管的第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔。
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公开(公告)号：CN114567267A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202111298651.X
申请日：2021-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够提高处于低温的温度环境的晶体管的耐压性的功率放大电路。功率放大电路(10)具备：放大部，放大无线频率信号；加热部(114)，与放大部相邻地设置，且具有随着通过电流的增加而发热量增加的至少一个晶体管(11411)；以及控制电路(112)，与晶体管(11411)连接，在环境温度在规定的阈值以下的情况下，使通过电流增加。
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公开(公告)号：CN113285681A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110171481.2
申请日：2021-02-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/52
Abstract: 本发明提供高频功率放大元件，能够提高输入信号的振幅增大时的击穿耐压。在基板上配置有前级的第一放大电路、后级的第二放大电路、接地用外部连接端子。第一以及第二放大电路分别包括多个双极晶体管、以及与多个双极晶体管分别对应地配置的电容元件以及电阻元件。多个双极晶体管分别包括相互分离的高频用的第一基极电极以及偏置用的第二基极电极。第二放大电路的双极晶体管的发射极电极与接地用外部连接端子连接。在第二放大电路的多个双极晶体管中的至少一个双极晶体管中，第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔宽于第一放大电路的双极晶体管的第一基极电极与发射极台面层之间的最小间隔。
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公开(公告)号：CN112564646B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011022062.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供关于电流的流动，难以产生非对称性的扩大，并且能够扩大SOA的单位组件。集电极层配置在基板之上，在俯视时划定一个连续的区域。基极层配置在集电极层之上，发射极层配置在基极层之上，并且发射极台面层配置在发射极层之上。在俯视时在发射极台面层的外侧并且在基极层的内侧，两个基极电极与基极层电连接。配置在基板之上的两个电容器被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第一布线之间。配置在基板之上的两个电阻元件被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第二布线之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117099211A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202280023936.9
申请日：2022-02-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737
Abstract: 在基板上沿第一方向排列配置有多个单元。多个单元分别包含：双极晶体管；在俯视时包含于双极晶体管的基极层的发射极电极；以及基极电极。多个单元的双极晶体管相互并联地连接。多个单元中的位于两端的第一单元以外的至少一个第二单元的耐破坏性比第一单元的耐破坏性高。提供一种并不局限于面朝上安装而在倒装芯片安装的情况下也能够抑制耐破坏性的降低的半导体装置。
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公开(公告)号：CN114639723A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111533698.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L27/06 , H03F3/195 , H03F3/213
Abstract: 本发明提供能够抑制形成在发射极与基极之间的寄生电容的功率放大器。功率放大器是具有基板、和在基板的主面依次层叠的发射极层、基极层及集电极层的功率放大器，具有：绝缘物，与发射极层相邻地设置；发射极电极，设置在发射极层及绝缘物与基板之间；基极电极，与基极层电连接；以及集电极电极，与集电极层电连接，在与基板的主面垂直的方向上，在基板与基极电极之间设置有发射极电极、绝缘物以及基极层。
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公开(公告)号：CN112564646A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011022062.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供关于电流的流动，难以产生非对称性的扩大，并且能够扩大SOA的单位组件。集电极层配置在基板之上，在俯视时划定一个连续的区域。基极层配置在集电极层之上，发射极层配置在基极层之上，并且发射极台面层配置在发射极层之上。在俯视时在发射极台面层的外侧并且在基极层的内侧，两个基极电极与基极层电连接。配置在基板之上的两个电容器被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第一布线之间。配置在基板之上的两个电阻元件被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第二布线之间。
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公开(公告)号：CN113472303B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202110314406.7
申请日：2021-03-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供能够抑制电流向晶体管的一部分区域集中并扩大SOA的功率放大元件。在基板上，沿第一方向排列配置多个双极晶体管。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置多个第一电容元件。通过第一电容元件向双极晶体管供给高频信号。与多个双极晶体管的各基极电极对应地设置电阻元件。经由电阻元件，向双极晶体管供给基极偏压。关于与第一方向正交的第二方向，从多个双极晶体管观察时，多个第一电容元件配置在同一侧。从多个双极晶体管观察第二方向时，多个第一电容元件中的至少一个第一电容元件配置于与其它的一个第一电容元件部分地重叠的位置。
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公开(公告)号：CN114093865A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110901169.4
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/06 , H01L27/082 , H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高负载变动损坏耐性的半导体装置。在基板的表面沿第一方向排列配置的多个单元分别包含至少一个单位晶体管。在相互相邻的两个单元之间分别配置有集电极电极。作为多个单元中的至少一个单元的第一单元包含沿第一方向排列的多个单位晶体管。多个单位晶体管相互并联连接。在第一单元中，多个单位晶体管各自的基极电极和发射极电极沿第一方向排列配置，并且基极电极和发射极电极的排列顺序在多个单位晶体管之间相同。在注目于一个第一单元时，在所注目的第一单元内相互相邻的两个单位晶体管的发射极电极的第一方向上的距离的最大值比所注目的第一单元与和其相邻的单元之间的第一方向上的距离中较短距离的1/2短。
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