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公开(公告)号：CN119678354A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380059156.4
申请日：2023-10-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 具备复合功率电感器（10）的开关电源装置（80）具备直线形状的电感器导体（31）、直线形状的电感器导体（32）、电感器导体（33）、和形成通过在电感器导体（31）、电感器导体（32）以及电感器导体（33）流动的电流而产生的磁通的磁路的1个磁性体（20）。电感器导体（31）的一端与第1输入端子连接并且另一端与电感器导体（33）的一端连接，电感器导体（32）的一端与第2输入端子连接并且另一端与电感器导体（33）的一端连接。电感器导体（31）、电感器导体（32）以及电感器导体（33）被磁性体（20）夹着或者被包括在磁性体（20）的内部。电感器导体（31）和电感器导体（32）并行地配置，使得在磁性体（20）中的电感器导体（31）与电感器导体（32）之间的内腿部（10ZI）中，将通过在各个导体流动的电流而产生的磁通相互抵消，并且在磁性体（20）中的比电感器导体（31）和电感器导体（32）靠外侧的外腿部（10ZO1、10ZO2）中，将通过在各个导体流动的电流而产生的磁通相互加强。电感器导体（33）配置为，通过在该导体流动的电流而产生的磁通所形成的平面与通过在电感器导体（31）以及电感器导体（32）流动的电流而产生的磁通所形成的平面相互正交。电感器导体（31）和电感器导体（32）是构成功率转换电路的电感器，电感器导体（33）是构成针对功率转换电路的输出电流的低通滤波器的电感器。
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公开(公告)号：CN112564646B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011022062.4
申请日：2020-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供关于电流的流动，难以产生非对称性的扩大，并且能够扩大SOA的单位组件。集电极层配置在基板之上，在俯视时划定一个连续的区域。基极层配置在集电极层之上，发射极层配置在基极层之上，并且发射极台面层配置在发射极层之上。在俯视时在发射极台面层的外侧并且在基极层的内侧，两个基极电极与基极层电连接。配置在基板之上的两个电容器被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第一布线之间。配置在基板之上的两个电阻元件被连接在两个基极电极的各个基极电极与配置在基板之上的第二布线之间。
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公开(公告)号：CN111668300B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010115755.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/735 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
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公开(公告)号：CN114823883A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210311146.2
申请日：2018-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L27/102 , H01L29/10 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供具有能够使基极层变薄来实现高速化的结构的双极晶体管。在由化合物半导体构成的基板上形成集电极层、基极层以及发射极层。发射极层在俯视时与基极层的边缘相比配置在内侧。在发射极层以及基极层的一部分的区域上配置基极电极以形成在俯视时从发射极层的内侧到达基极层的外侧。在基极层中的不与发射极层重叠的部分和基极电极之间配置绝缘膜。合金层从基极电极在厚度方向上贯通发射极层并到达基极层。合金层包含基极电极的一部分的构成元素、和发射极层以及上述基极层的构成元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078792A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110953784.X
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H05K1/18
Abstract: 提供能够提高从半导体芯片的散热性的半导体封装件。模块基板具有相互朝向相反方向的上表面以及下表面，设置了多个凸块的半导体芯片经由凸块安装于模块基板的上表面。模块基板包含配置于下表面以及内层的至少一方的第一金属膜。第一金属膜与凸块电连接，并且到达模块基板的侧面。金属部件的顶面部以模块基板的上表面为高度的基准配置在比半导体芯片高的位置。顶面部在俯视时包含半导体芯片。金属部件具有从顶面部朝向模块基板延伸的侧面部。侧面部在模块基板的侧面与第一金属膜热结合。
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公开(公告)号：CN108461540B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201810153959.7
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够维持较高的线性效率以及较高的线性输出的异质结双极晶体管。HBT的集电极层包含高浓度集电极层和配置于其上的低浓度集电极层。低浓度集电极层包含随着远离基极层而能带隙变窄地变化的渐变集电极层。基极层的半导体材料的电子亲和力比渐变集电极层的能带隙最大的位置处的半导体材料的电子亲和力大，它们的差为0.15eV以下。渐变集电极层具有在使电场强度变化时，在某个电场强度下电子的移动速度示出峰值的特性。由渐变集电极层的能带隙的变化引起而作用于电子的伪电场的强度是电子的移动速度示出峰值的电场强度亦即峰值电场强度的0.3倍以上1.8倍以下。
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公开(公告)号：CN107306118A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710013890.3
申请日：2017-01-09
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 小屋茂树
CPC classification number: H03F1/565 , H03F1/0211 , H03F1/3205 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/217 , H03F3/2176 , H03F3/245 , H03F2200/381 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/451 , H03F1/56 , H03F3/24
Abstract: 本发明提供一种可根据动作模式来控制功率放大器的特性的功率放大模块。功率放大模块包括：放大器，其将放大输入信号后的放大信号输出；以及谐波终端电路，其被输入放大信号的谐波，根据谐波的频率来控制阻抗，功率放大模块可在电源电压根据规定时间中的放大信号的电压的平均值而变化的第一模式、或者电源电压根据输入信号的包络线的波形而变化的第二模式下进行动作，当在第一模式下进行动作时，控制谐波终端电路的阻抗，使得谐波中至少一个偶数次谐波短路，当在第二模式下进行动作时，控制谐波终端电路的阻抗，使得谐波中至少一个3次以上的奇数次谐波短路。
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公开(公告)号：CN117043957A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023303.8
申请日：2022-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737
Abstract: 本发明在双极晶体管的发射极层上配置有发射极电极。在发射极电极上配置有层间绝缘膜，在该层间绝缘膜设置有在俯视时包含于发射极电极的发射极接触孔。配置在层间绝缘膜上的发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在俯视时，发射极电极以及发射极接触孔具有在一个方向上较长的形状。发射极接触孔的长度为发射极电极的长度的85％以下，从发射极电极的两侧的端部中的每个端部到发射极接触孔的距离为发射极电极的长度的5％以上。通过该结构，能够进一步提高双极晶体管的动作时的温度的均匀性。
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公开(公告)号：CN109994540B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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