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公开(公告)号：CN118016604A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311461531.6
申请日：2023-11-06
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电子部件以及电子部件的制造方法，该电子部件包含即使产生裂缝也不容易产生可靠性的降低的电容器。配置有电容器，该电容器在由化合物半导体构成的基板的一个面即上表面的一部分的区域上，包含从基板侧依次层叠的下层电极、电介质膜、以及上层电极。在比电介质膜靠近上方，配置有由绝缘性的金属氧化物或者硅氧化物构成的覆膜。在俯视上表面时，覆膜遍及下层电极的边缘的整周，从比下层电极的边缘靠内侧的区域扩展到外侧的区域。
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公开(公告)号：CN109148409B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201810684173.8
申请日：2018-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/498
Abstract: 本发明提供一种不依赖于焊料的涂敷量的控制而使凸块高度对齐的半导体芯片。半导体芯片具备：半导体基板，具有主面；第一电极，形成在半导体基板的主面上；第二电极，形成在半导体基板的主面上；第一绝缘层，形成在第一电极的一部分上；第一凸块，形成在第一电极的另一部分以及第一绝缘层上，并且与第一电极电连接；以及第二凸块，形成在第二电极上，并且在半导体基板的主面的俯视下具有比第一凸块的面积大的面积，通过第一绝缘层对半导体基板的主面的法线方向上的从半导体基板的主面到第一凸块的上表面的距离进行调整。
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公开(公告)号：CN113809036A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110666803.0
申请日：2021-06-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够提高散热性的半导体装置。在基板上的晶体管及其动作电极上交替地层叠有多个层间绝缘膜和多个导体膜。第一层的层间绝缘膜的开口具有在第一方向上较长的形状，且在俯视时被包含于动作电极。第一层的导体膜通过第一层的层间绝缘膜的开口与动作电极连接。第二层的层间绝缘膜的开口在俯视时被包含于第一层的导体膜。第二层的导体膜通过第二层的层间绝缘膜的开口与第一层的导体膜连接。沿着第一方向对从第一层的层间绝缘膜的开口到第二层的层间绝缘膜的开口的侧面为止的与第一方向正交的第二方向上的距离进行平均后的值在从第一层的层间绝缘膜的开口的上侧开口面到第二层的层间绝缘膜的开口的下侧开口面为止的高度方向上的距离以上。
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公开(公告)号：CN108461534B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201810140616.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/737 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。化合物半导体基板具有与第一方向以及和第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与第一主面对置的第二主面、以及从第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成在第一主面的开口部、与开口部对置的底面、以及在开口部与底面之间形成凹部的多个侧面，多个侧面包含沿着第一方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度的至少一个第一侧面、和沿着第二方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度的至少一个第二侧面，第一主面与至少一个第一侧面的接线的总长度比第一主面与至少一个第二侧面的接线的总长度长。
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公开(公告)号：CN108461534A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810140616.7
申请日：2018-02-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/06 , H01L29/04 , H01L29/737 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L24/05 , H01L23/3157 , H01L24/32 , H01L29/20 , H01L2224/04026 , H01L2224/05011 , H01L2924/1424 , H01L2924/35121
Abstract: 本发明提供耐剥离性提高的化合物半导体基板。化合物半导体基板具有与第一方向以及和第一方向正交的第二方向平行的第一主面、与第一主面对置的第二主面、以及从第一主面朝向第二主面形成的凹部，凹部具有形成在第一主面的开口部、与开口部对置的底面、以及在开口部与底面之间形成凹部的多个侧面，多个侧面包含沿着第一方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为θ(0＜θ＜90)度的至少一个第一侧面、和沿着第二方向延伸且在凹部的内部与底面所成的角大致为φ(90＜φ＜180)度的至少一个第二侧面，第一主面与至少一个第一侧面的接线的总长度比第一主面与至少一个第二侧面的接线的总长度长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109994540B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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公开(公告)号：CN113809035A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110655309.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/495 , H01L27/082 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够抑制由应力导致的可靠性降低，并且抑制散热性降低的半导体装置。在基板上形成有具有至少一级台阶的台面部。在台面部上配置有绝缘膜，该绝缘膜包含由有机绝缘材料构成的有机层且设置有开口。在绝缘膜上配置有经过设置于绝缘膜的开口而电连接于台面部的晶体管的导体膜。在俯视时，设置于有机层的开口包含台面部，且具有沿第一方向延伸的侧面。将在俯视时从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的与第一方向正交的第二方向的距离中较短的一方定义为第一距离，将从台面部到有机层的开口的两侧的侧面的第一方向的距离中较短的一方定义为第二距离。将台面部的第一级高度定义为第一高度。第一距离以及第二距离中的至少一方为第一高度以上。
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公开(公告)号：CN111341738A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201911308853.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能提高散热性的半导体装置。在基板上设置包括动作电流流过的半导体区域的多个晶体管。配置由热导率比多个半导体区域高的导电材料构成，分别与半导体区域接触并使动作电流流向半导体区域的多个动作电极。外部连接用的导体柱内包在俯视时多个半导体区域与多个动作电极接触的多个接触区域，并与多个动作电极电连接。接触区域沿第一方向排列配置，接触区域分别具有在与第一方向正交的第二方向上较长的平面形状，跨接触区域对接触区域各自的从第二方向的端部到导体柱的边缘为止的第二方向的距离进行平均的值亦即第一平均距离在从接触区域到导体柱的顶面为止的高度方向的距离的平均值以上。
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公开(公告)号：CN109994540A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811453223.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/08 , H01L29/737
Abstract: 提供能够在高频带提高增益，并且抑制制造成品率的降低的半导体装置。在基板上形成包括第一集电极层、第二集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管。第二集电极层的蚀刻特性与第一集电极层以及基极层的蚀刻特性不同。在俯视时，第一集电极层比第二集电极层的界面的边缘与基极层的下表面的边缘靠近内侧配置，第二集电极层的上表面的边缘与基极层的下表面的边缘一致，或者比基极层的下表面的边缘靠近内侧配置。
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公开(公告)号：CN108461467A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810125491.0
申请日：2018-02-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/3114 , H01L21/52 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/67 , H01L23/4952 , H01L24/48
Abstract: 本发明提供一种即使对于严酷的环境下的处理也能够确保充分的强度的粘接力的半导体芯片。半导体芯片具有单晶的基板和形成在基板的底面的金属电极。金属电极包含：露出了第一金属的区域；以及露出了具有与第一金属的标准电极电位不同的标准电极电位的第二金属的区域。
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