-
公开(公告)号：CN104995724B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201480008941.8
申请日：2014-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L29/0821 , H01L29/152 , H01L29/20 , H01L29/7371
Abstract: 本发明提供一种能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性，进一步地能够实现基极‑集电极间电容的减少的技术。在n型的各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间分别设置有p型的第二半导体层(3b)、(3d)，即使不使第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)的掺杂浓度降低，也能够降低集电极层3整体表观上的掺杂浓度，所以能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性。另外，由于第二半导体层(3b)、(3e)夹在各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间，所以集电极层(3)整体的平均载流子浓度减少，并且较宽地形成集电极层(3)内的耗尽层，所以能够实现基极‑集电极间电容的减少。
-
公开(公告)号：CN107078125B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201580048597.X
申请日：2015-10-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明能提高具有功率放大器和SAW双工器的功率放大模块的散热性。功率放大模块包括：具有第一和第二主面的基板；功率放大器，该功率放大器具有形成电极的第一面和与该第一面相对的第二面，安装成该第一面与基板第一主面相对；表面弹性波双工器，该表面弹性波双工器具有形成电极的第一面和与该第一面相对的第二面，并且安装成该第一面与基板的第一主面相对；设置在基板第二主面上的散热部；将功率放大器和第一主面的连接部中的至少一部分与散热部连接的散热路径；覆盖功率放大器及表面弹性波双工器的绝缘性树脂；覆盖绝缘性树脂表面的导电性屏蔽件；以及第一导电部，该第一导电部设置在表面弹性波双工器的第二面上，并且与导电性屏蔽件电连接。
-
公开(公告)号：CN104995724A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008941.8
申请日：2014-02-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7325 , H01L29/0821 , H01L29/152 , H01L29/20 , H01L29/7371
Abstract: 本发明提供一种能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性，进一步地能够实现基极-集电极间电容的减少的技术。在n型的各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间分别设置有p型的第二半导体层(3b)、(3d)，即使不使第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)的掺杂浓度降低，也能够降低集电极层3整体表观上的掺杂浓度，所以能够改善电容特性的线性并且能够充分地确保量产性。另外，由于第二半导体层(3b)、(3e)夹在各个第一半导体层(3a)、(3c)、(3e)间，所以集电极层(3)整体的平均载流子浓度减少，并且较宽地形成集电极层(3)内的耗尽层，所以能够实现基极-集电极间电容的减少。
-
公开(公告)号：CN105849873A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070604.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/737
CPC classification number: H01L24/13 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L29/0692 , H01L29/0817 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/41708 , H01L29/66234 , H01L29/66242 , H01L29/66272 , H01L29/6631 , H01L29/66318 , H01L29/732 , H01L29/737 , H01L29/7371 , H01L29/7375 , H01L29/7378 , H01L2224/02331 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/02373 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05558 , H01L2224/05559 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/1134 , H01L2224/13013 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/13026 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13563 , H01L2224/13611 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/07025 , H01L2924/10329 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/13051 , H01L2924/13055 , H01L2924/1423 , H01L2924/351 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。
-
公开(公告)号：CN105378904A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201480038561.9
申请日：2014-06-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/122 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/6631
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×1015cm-3，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×1010cm-2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×1015cm-3，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm-2低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428550A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021654.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/812
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/823456 , H01L27/0605 , H01L27/095 , H01L29/20 , H01L29/42316 , H01L29/66863 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种改善失真特性的构成的半导体开关装置、以及半导体开关装置的制造方法。半导体开关装置(1)将具有凹槽(3A、3B)的半导体元件(E1、D1)形成在单一的半导体基板(2)上。以半导体元件(D1)构成开关电路。以半导体元件(E1、D1)构成逻辑电路。半导体元件(E1、D1)分别具有栅极电极(4A、4B)、漏极电极(6A、6B)、以及源极电极(5A、5B)。栅极电极(4B)的外形形状为剖面矩形形状。栅极电极(4A)的外形形状为剖面V字形状。
-
公开(公告)号：CN108231704B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201711326343.7
申请日：2017-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种抑制剥离和动作不合格的半导体模块。半导体模块(2)具备：PCB基材部(16)、设置在PCB基材部(16)上的导体裸片焊盘(11b)、设置在导体裸片焊盘(11b)上的半导体裸片(12a)、将导体裸片焊盘(11b)与半导体裸片(12a)电连接的导电性裸片粘合剂(14a)、设置在PCB基材部(16)上的引线键合焊盘(18)、将引线键合焊盘(18)与半导体裸片(12a)电连接的引线(13)、以及将导体裸片焊盘(11b)、半导体裸片(12a)、导电性裸片粘合剂(14a)、引线键合焊盘(18)和引线(13)密封的密封树脂(17)。而且，俯视时，导体裸片焊盘(11b)的面积在5.0mm2以下。
-
公开(公告)号：CN105849873B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201480070604.1
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/737
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在具备双极晶体管BT的半导体装置中，柱状凸点(20)和与发射极层(5)电连接的第二布线(14)接触的第三开口(16)从与发射极层(5)的正上对应的位置向发射极层(5)的长边方向偏移，第三开口(16)相对于发射极层(5)，被配置成发射极层(5)的长边方向的端部与第三开口(16)的开口端几乎一致。
-
公开(公告)号：CN108231704A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711326343.7
申请日：2017-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/32 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/29 , H01L23/293 , H01L23/31 , H01L23/3121 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/26 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/26175 , H01L2224/32227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/35121
Abstract: 本发明提供一种抑制剥离和动作不合格的半导体模块。半导体模块(2)具备：PCB基材部(16)、设置在PCB基材部(16)上的导体裸片焊盘(11b)、设置在导体裸片焊盘(11b)上的半导体裸片(12a)、将导体裸片焊盘(11b)与半导体裸片(12a)电连接的导电性裸片粘合剂(14a)、设置在PCB基材部(16)上的引线键合焊盘(18)、将引线键合焊盘(18)与半导体裸片(12a)电连接的引线(13)、以及将导体裸片焊盘(11b)、半导体裸片(12a)、导电性裸片粘合剂(14a)、引线键合焊盘(18)和引线(13)密封的密封树脂(17)。而且，俯视时，导体裸片焊盘(11b)的面积在5.0mm2以下。
-
公开(公告)号：CN105378904B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201480038561.9
申请日：2014-06-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/331 , H01L29/737
CPC classification number: H01L29/7371 , H01L29/0817 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/122 , H01L29/205 , H01L29/36 , H01L29/66242 , H01L29/6631
Abstract: 本发明涉及半导体装置。在双极晶体管中，集电极层(3)由n型GaAs层(3a)(Si浓度：约5×1015cm‑3，膜厚：约350nm)，p型GaAs层(3b)(C浓度：约4.5×1015cm‑3，膜厚：约100nm，层浓度：4.5×1010cm‑2)以及n型GaAs层(3c)Si浓度：约5×1015cm‑3，膜厚：约500nm)三层的半导体层形成。p型GaAs层(3b)的层浓度被设定为比1×1011cm‑2低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.019 seconds)
