-
公开(公告)号：CN108511520B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810156094.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供具备可抑制Au的电极成分扩散而产生迁移、并且能够良好地确保电极与其下方的导电层的电接触的构造、且成品率提高的半导体装置。在导电层(4、4)上形成基底层(6、6)，在基底层(6、6)上形成由Au组成的第1布线电极(7、7)。基底层(6、6)由宽度方向端部自第1布线电极(7、7)的宽度方向端部向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的单层形成。该基底层(6、6)由组分调制层组成，第1布线电极(7、7)的下方的主组成成分为Ti或Ti与W，从第1布线电极(7、7)的下方向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的部分的组成成分组分调制为Ti与O、或Ti、O与N、或Ti、W、O与N。
-
公开(公告)号：CN110660794A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910566478.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
-
公开(公告)号：CN111223920B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN201911154165.3
申请日：2019-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种能够抑制由凸块上的焊料引起的晶体管的劣化、破坏的半导体装置。在基板上配置有双极晶体管。在基板上配置有绝缘膜，以覆盖双极晶体管。在该绝缘膜上配置有通过设置于绝缘膜的第一开口与双极晶体管的发射极层电连接的发射极布线。在发射极布线上配置有保护膜。在保护膜上，配置有通过设置于保护膜的第二开口与发射极布线电连接的凸块。在俯视时，第二开口包含于凸块的内侧并且第一开口的外侧的区域。
-
公开(公告)号：CN111490022A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010066304.3
申请日：2020-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/482 , H01L23/31 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够在安装于外部基板时，抑制电连接不良的产生的半导体元件。半导体元件具有：半导体基板；设置在半导体基板上的集电极层；设置在集电极层上的基极层；设置在基极层上的发射极层；与发射极层电连接的发射极布线；设置在发射极布线上的上部金属层；覆盖发射极布线以及上部金属层并且至少在与集电极层重叠的区域中设置有第一开口的第一保护膜；以及经由第一开口与发射极布线电连接的下部凸块金属层，且下部凸块金属层的俯视时的面积大于第一开口的面积的凸块，第一保护膜的端部包围第一开口、且设置在上部金属层上。
-
公开(公告)号：CN102428550A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021654.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/812
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/823456 , H01L27/0605 , H01L27/095 , H01L29/20 , H01L29/42316 , H01L29/66863 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种改善失真特性的构成的半导体开关装置、以及半导体开关装置的制造方法。半导体开关装置(1)将具有凹槽(3A、3B)的半导体元件(E1、D1)形成在单一的半导体基板(2)上。以半导体元件(D1)构成开关电路。以半导体元件(E1、D1)构成逻辑电路。半导体元件(E1、D1)分别具有栅极电极(4A、4B)、漏极电极(6A、6B)、以及源极电极(5A、5B)。栅极电极(4B)的外形形状为剖面矩形形状。栅极电极(4A)的外形形状为剖面V字形状。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428550B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201080021654.2
申请日：2010-05-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/812
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L21/823456 , H01L27/0605 , H01L27/095 , H01L29/20 , H01L29/42316 , H01L29/66863 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种改善失真特性的构成的半导体开关装置、以及半导体开关装置的制造方法。半导体开关装置(1)将具有凹槽(3A、3B)的半导体元件(E1、D1)形成在单一的半导体基板(2)上。以半导体元件(D1)构成开关电路。以半导体元件(E1、D1)构成逻辑电路。半导体元件(E1、D1)分别具有栅极电极(4A、4B)、漏极电极(6A、6B)、以及源极电极(5A、5B)。栅极电极(4B)的外形形状为剖面矩形形状。栅极电极(4A)的外形形状为剖面V字形状。
-
公开(公告)号：CN111477598B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010076766.3
申请日：2020-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供了能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体管列。多个晶体管列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管，多个晶体管列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且，配置有覆盖多个单位晶体管并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体管电连接。形成从多个单位晶体管的每一个单位晶体管到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径，导热路径的热电阻在多个单位晶体管之间不同。
-
公开(公告)号：CN110660794B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910566478.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在对电极焊盘施加了冲击时，能够抑制焊盘的正下方的电路元件因冲击而受到损伤的半导体装置。在基板上配置有被保护元件以及突出部。配置在基板上的绝缘膜覆盖突出部的至少侧面以及被保护元件。在绝缘膜上配置有外部连接用的电极焊盘。电极焊盘在俯视时与被保护元件以及突出部至少部分地重叠。从突出部的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔比从被保护元件的上表面到电极焊盘的高度方向的最大的间隔窄。
-
公开(公告)号：CN108091628B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201711172097.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种半导体装置，能够减少引线的连接不良，能够提高可靠性。半导体装置(1)包括半导体基板(2)、第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)。第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)在半导体基板(2)的表面(2A)上依次层叠。第一金属层(4)和第二金属层(8)通过形成于绝缘膜层(6)和有机物层(7)的过孔(6A、7A)而电连接。在第二金属层(8)的、与过孔(6A、7A)对应的位置处形成有电极垫(8A)。在半导体基板(2)的表面(2A)和第一金属层(4)之间的界面处形成有贴片部(10)，该贴片部(10)位于过孔(6A、7A)的正下方且形成为截面呈梯形的形状。
-
公开(公告)号：CN111477598A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010076766.3
申请日：2020-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/367 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供了能够减少多个单位晶体管的动作时的温度的偏差的半导体装置。在基板上设置有多个晶体管列。多个晶体管列分别包括在基板的上表面内的第一方向上排列的多个单位晶体管，多个晶体管列在与第一方向正交的第二方向上排列配置。并且，配置有覆盖多个单位晶体管并设置有至少一个开口的绝缘膜。配置在绝缘膜上的金属部件通过开口与多个单位晶体管电连接。形成从多个单位晶体管的每一个单位晶体管到金属部件的上表面的由金属形成的导热路径，导热路径的热电阻在多个单位晶体管之间不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.036 seconds)
