公开(公告)号：CN108091628A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711172097.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林一也 ,  佐野雄一 ,  徳田大辅 ,  徳矢浩章

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/02

Abstract: 一种半导体装置，能够减少引线的连接不良，能够提高可靠性。半导体装置(1)包括半导体基板(2)、第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)。第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)在半导体基板(2)的表面(2A)上依次层叠。第一金属层(4)和第二金属层(8)通过形成于绝缘膜层(6)和有机物层(7)的过孔(6A、7A)而电连接。在第二金属层(8)的、与过孔(6A、7A)对应的位置处形成有电极垫(8A)。在半导体基板(2)的表面(2A)和第一金属层(4)之间的界面处形成有贴片部(10)，该贴片部(10)位于过孔(6A、7A)的正下方且形成为截面呈梯形的形状。

公开(公告)号：CN108091628B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201711172097.4

申请日：2017-11-22

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林一也 ,  佐野雄一 ,  徳田大辅 ,  徳矢浩章

IPC: H01L23/488

Abstract: 一种半导体装置，能够减少引线的连接不良，能够提高可靠性。半导体装置(1)包括半导体基板(2)、第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)。第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)在半导体基板(2)的表面(2A)上依次层叠。第一金属层(4)和第二金属层(8)通过形成于绝缘膜层(6)和有机物层(7)的过孔(6A、7A)而电连接。在第二金属层(8)的、与过孔(6A、7A)对应的位置处形成有电极垫(8A)。在半导体基板(2)的表面(2A)和第一金属层(4)之间的界面处形成有贴片部(10)，该贴片部(10)位于过孔(6A、7A)的正下方且形成为截面呈梯形的形状。