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公开(公告)号：CN108091628A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711172097.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/5283 , H01L23/3171 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L24/02
Abstract: 一种半导体装置，能够减少引线的连接不良，能够提高可靠性。半导体装置(1)包括半导体基板(2)、第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)。第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)在半导体基板(2)的表面(2A)上依次层叠。第一金属层(4)和第二金属层(8)通过形成于绝缘膜层(6)和有机物层(7)的过孔(6A、7A)而电连接。在第二金属层(8)的、与过孔(6A、7A)对应的位置处形成有电极垫(8A)。在半导体基板(2)的表面(2A)和第一金属层(4)之间的界面处形成有贴片部(10)，该贴片部(10)位于过孔(6A、7A)的正下方且形成为截面呈梯形的形状。
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公开(公告)号：CN108511520B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810156094.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供具备可抑制Au的电极成分扩散而产生迁移、并且能够良好地确保电极与其下方的导电层的电接触的构造、且成品率提高的半导体装置。在导电层(4、4)上形成基底层(6、6)，在基底层(6、6)上形成由Au组成的第1布线电极(7、7)。基底层(6、6)由宽度方向端部自第1布线电极(7、7)的宽度方向端部向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的单层形成。该基底层(6、6)由组分调制层组成，第1布线电极(7、7)的下方的主组成成分为Ti或Ti与W，从第1布线电极(7、7)的下方向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的部分的组成成分组分调制为Ti与O、或Ti、O与N、或Ti、W、O与N。
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公开(公告)号：CN119404325A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202380051452.X
申请日：2023-06-12
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐野雄一
Abstract: 提供能够提高循环特性的负极和二次电池。负极具备：负极集电体；负极活性物质层；第一层，设置在所述负极集电体与所述负极活性物质层之间；以及第二层，设置于所述负极活性物质层。所述负极集电体包含铜、镍、铁中的至少一种以上，所述负极活性物质层包含硅，所述第一层包含硅、构成所述负极集电体的金属元素以及钛、镍、锌、银、铁、硼、铟和锗中的至少一种以上，所述第二层包含硅以及钛、镍、锌、银、铁、硼、铟和锗中的至少一种以上。
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公开(公告)号：CN118575305A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202380017467.4
申请日：2023-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01M4/48 , H01M4/13 , H01M4/36 , H01M10/052 , H01M10/054 , H01M10/0566
Abstract: 二次电池用负极活性物质具有负极活性物质粒子，所述负极活性物质粒子包含：第一物体，含有硅氧化物；以及第二物体，含有铜、铜化合物、钨以及钼氧化物中的至少一种，并且附着于第一物体的表面。负极活性物质粒子的拉曼光谱在470cm‑1以上且490cm‑1以下的范围内具有最大峰。XRD光谱在37±1°的范围以及44±1°的范围内分别具有峰、在40±1°的范围内具有峰、或者在23±1°、25±1°、37±1°、41±1°、54±1°或60±1°的任意一个范围内具有峰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091628B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201711172097.4
申请日：2017-11-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L23/488
Abstract: 一种半导体装置，能够减少引线的连接不良，能够提高可靠性。半导体装置(1)包括半导体基板(2)、第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)。第一金属层(4)、绝缘膜层(6)、有机物层(7)以及第二金属层(8)在半导体基板(2)的表面(2A)上依次层叠。第一金属层(4)和第二金属层(8)通过形成于绝缘膜层(6)和有机物层(7)的过孔(6A、7A)而电连接。在第二金属层(8)的、与过孔(6A、7A)对应的位置处形成有电极垫(8A)。在半导体基板(2)的表面(2A)和第一金属层(4)之间的界面处形成有贴片部(10)，该贴片部(10)位于过孔(6A、7A)的正下方且形成为截面呈梯形的形状。
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公开(公告)号：CN108511520A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810156094.X
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供具备可抑制Au的电极成分扩散而产生迁移、并且能够良好地确保电极与其下方的导电层的电接触的构造、且成品率提高的半导体装置。在导电层(4、4)上形成基底层(6、6)，在基底层(6、6)上形成由Au组成的第1布线电极(7、7)。基底层(6、6)由宽度方向端部自第1布线电极(7、7)的宽度方向端部向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的单层形成。该基底层(6、6)由组分调制层组成，第1布线电极(7、7)的下方的主组成成分为Ti或Ti与W，从第1布线电极(7、7)的下方向第1过孔层(3)与CGR层(5a)的层间界面方向伸出的部分的组成成分组分调制为Ti与O、或Ti、O与N、或Ti、W、O与N。
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公开(公告)号：CN110914977A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880047748.3
申请日：2018-07-13
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供维持热传导性、并且不易产生可靠性的降低的电子部件。在基板安装有半导体晶片。密封树脂层密封半导体晶片。密封树脂层包括粘合剂、和由分散于粘合剂内的多个粒子构成的两种填料。作为两种填料，使用平均粒径和密度中至少一个物理量不同的填料。密封树脂层内的填料的体积密度为，从基板起朝向上方降低，密封树脂层的在高度方向上的局部包括两种填料混合存在的区域。
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公开(公告)号：CN110197849A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910146109.9
申请日：2019-02-27
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种能够抑制热应力的半导体装置。半导体装置具有：半导体元件，具有包括设置于化合物半导体基板的集电极层、基极层以及发射极层的双极晶体管、以及分别与集电极层、基极层及发射极层接触的集电极电极、基极电极及发射极电极；保护层，设置于半导体元件的一个面；发射极再布线层，经由设置于保护层的接触孔与发射极电极电连接；以及应力缓和层，在与化合物半导体基板的表面垂直的方向上，设置于发射极再布线层与发射极层之间。
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公开(公告)号：CN211788920U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201890001043.3
申请日：2018-07-06
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本实用新型涉及半导体装置。在半导体基板上形成介电膜，在半导体基板与介电膜之间配置有包括折弯部的布线。在介电膜上形成有焊盘。保护膜覆盖焊盘。在保护膜设置有使焊盘的上表面露出的开口。布线的折弯部和焊盘在俯视时重叠，折弯部的内侧的角以及外侧的角被倒角。
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