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公开(公告)号：CN111800096B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010263068.4
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。
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公开(公告)号：CN109039289B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN201810486299.4
申请日：2018-05-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制功率放大电路的特性的劣化的同时抑制多个单位晶体管间的温度分布的不均匀的功率放大电路。功率放大电路具备：第一晶体管组，包含多个单位晶体管，对输入信号进行放大并输出放大信号；偏置电路，对第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极供给偏置电流或偏置电压；多个第一电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的基极或栅极与偏置电路的输出之间；以及多个第二电阻元件，分别连接在第一晶体管组的各单位晶体管的发射极或源极与基准电位之间。
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公开(公告)号：CN113572439A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110456672.3
申请日：2021-04-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够在宽频带中高效地供给RF信号并且抑制电路规模的增大。功率放大电路具备：第1放大电路，对第1频带的第1信号进行放大，并输出具有第1功率的第1放大信号；第2放大电路，对所述第1频带或者与所述第1频带不同的第2频带的第2信号进行放大，并输出具有与所述第1功率不同的第2功率的第2放大信号；和第1可变调整电路，设置在所述第2放大电路与所述第2放大电路的后级的第1电路之间，构成为能够调整从所述第2放大电路对所述第1电路进行了观察时的第1阻抗。
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公开(公告)号：CN113225034B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110153807.9
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109586674B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201811104157.3
申请日：2018-09-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够控制输出功率的电平并且能够抑制噪声的产生的功率放大电路。功率放大电路具备：第1晶体管，对被输入到基极或者栅极的第1信号进行放大；偏置电路，将与控制信号相应的偏置电流或者电压提供给第1晶体管的基极或者栅极；第2晶体管，基极或者栅极被提供与控制信号相应的控制电流，发射极或者源极连接于第1晶体管的集电极或者漏极，从集电极或者漏极输出对第1信号进行了放大的第2信号；和第1反馈电路，被设置于第2晶体管的集电极或者漏极与第2晶体管的基极或者栅极之间。
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公开(公告)号：CN110492853B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201910382629.X
申请日：2019-05-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的功率放大器能够抑制噪声。功率放大器具备分别包含晶体管的多级功率放大电路。第一级的功率放大电路包含第一阻抗电路，该第一阻抗电路设置在晶体管的发射极与基准电位之间，具有不根据频率而变化的阻抗或根据频率而变化的阻抗。第二级的功率放大电路包含第二阻抗电路，该第二阻抗电路设置在晶体管的发射极与基准电位之间，具有不根据频率而变化的阻抗或根据频率而变化的阻抗。
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公开(公告)号：CN113225034A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110153807.9
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。
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公开(公告)号：CN112753164A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980062089.5
申请日：2019-10-15
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种功率放大电路，使过电流或过电压保护功能的动作速度提高。功率放大电路具备：放大器，其将无线电频率信号放大后输出；偏置电流供给电路，其向放大器供给偏置电流；检测电路，其检测放大器的电流或电压是否为规定阈值以上；以及抽取电路，在检测电路检测到电流或电压为规定阈值以上的情况下，该抽取电路抽取向放大器供给的偏置电流的至少一部分。
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公开(公告)号：CN111800096A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010263068.4
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。
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