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公开(公告)号：CN111800096A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010263068.4
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。
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公开(公告)号：CN111740712A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010205037.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种谋求输出功率和功率附加效率的协调的功率放大电路。本发明包含：第一晶体管，发射极与基准电位电连接，在基极被输入第一偏置电流或电压，并且被输入高频输入信号，集电极与第一电源电位电连接；电容器，一端与第一晶体管的集电极电连接；以及第二晶体管，发射极与电容器的另一端电连接，并且与基准电位电连接，在基极被输入第二偏置电流或电压，集电极与第一电源电位电连接，从集电极输出将高频输入信号放大了的高频输出信号。第二偏置电路包含：第三晶体管，集电极与第二电源电位电连接，在基极被输入第三偏置电流或电压，从发射极输出第二偏置电流或电压。
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公开(公告)号：CN113225023B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202011532387.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/22
Abstract: 本发明提供一种抑制高频信号的失真的功率放大电路。包含功率放大器和调整电路，功率放大器包含：第1晶体管，第1端子与基准电位电连接，在第2端子被输入第1电流，并且被输入高频信号，第3端子经由第1电感器与第1电源电位电连接；电容器，一端与第1晶体管的第3端子电连接；以及第2晶体管，第1端子与电容器的另一端电连接，并且经由第2电感器与基准电位电连接，在第2端子被输入第2电流，并且与基准电位电连接，第3端子经由第3电感器与第1电源电位电连接，从第3端子输出高频输出信号，调整电路将与第1电源电位或第2电源电位相应的第3电流输出到第2晶体管的第2端子。
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公开(公告)号：CN113938105A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110781783.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，在抑制输入阻抗的变化的同时，抑制在低输出动作模式下进行动作的情况下的增益。包含：第1晶体管，在第1端子被输入第1信号；第2晶体管，在第1端子被输入第1信号；第1电阻，在一端被供给第1偏置电流，另一端与第1晶体管的第1端子连接；第2电阻，在一端被供给第2偏置电流，另一端与第2晶体管的第1端子连接；和第3电阻，一端与第1电阻的一端连接，另一端与第2电阻的一端连接。
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公开(公告)号：CN112929000B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011324715.4
申请日：2020-11-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/24
Abstract: 提供一种功率放大电路，改善输入输出的增益的特性，降低输出信号的失真。功率放大电路(1a)包括：第一偏置电路(3)，其赋予第一偏置；第二偏置电路(4)，其赋予第二偏置；晶体管(Q1)，其发射极与基准电位连接，在基极经由第一电阻输入第一偏置，经由第一电容器输入高频输入信号，从集电极输出放大后的高频信号；晶体管(Q2)，其在基极经由第二电阻输入第二偏置，基极经由第二电容器而与基准电位连接，在发射极输入高频信号，集电极经由第三电感器而与电源电位连接，从集电极输出高频输出信号；以及阻抗电路(Z1)，其一端与第二偏置电路(4)的输出部连接，在从第二偏置电路(4)向晶体管(Q2)的基极的路径中施加交流信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111740712B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010205037.3
申请日：2020-03-20
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种谋求输出功率和功率附加效率的协调的功率放大电路。本发明包含：第一晶体管，发射极与基准电位电连接，在基极被输入第一偏置电流或电压，并且被输入高频输入信号，集电极与第一电源电位电连接；电容器，一端与第一晶体管的集电极电连接；以及第二晶体管，发射极与电容器的另一端电连接，并且与基准电位电连接，在基极被输入第二偏置电流或电压，集电极与第一电源电位电连接，从集电极输出将高频输入信号放大了的高频输出信号。第二偏置电路包含：第三晶体管，集电极与第二电源电位电连接，在基极被输入第三偏置电流或电压，从发射极输出第二偏置电流或电压。
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公开(公告)号：CN118476153A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280079349.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路(1)具备：电源端子(140)；以及放大晶体管(11)，其具有基极端子(11B)、集电极端子(11C)以及发射极端子(11E)，该集电极端子(11C)与电源端子(140)连接，该放大晶体管(11)对从基极端子(11B)输入的高频输入信号进行功率放大，并将该功率放大后得到的高频信号从集电极端子(11C)输出，其中，在电源端子(140)被施加了第一电源电压的情况下，放大晶体管(11)经由基极端子(11B)来接收第一偏置电流，在电源端子(140)被施加了大于第一电源电压的第二电源电压的情况下，放大晶体管(11)经由基极端子(11B)来接收小于第一偏置电流的第二偏置电流。
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公开(公告)号：CN111327280B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201911262711.5
申请日：2019-12-10
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种在提高稳定性的同时使最大输出功率增大的功率放大电路。功率放大电路具备：下级晶体管，具有被供给第一电源电压的第一端子、与接地连接的第二端子、以及被供给第一信号的第三端子；第一电容器；上级晶体管，具有被供给第二电源电压并且输出使第一信号放大了的第二信号的第一端子、经由第一电容器与下级晶体管的第一端子连接的第二端子、以及经由接地路径与接地连接的第三端子；电感器，将上级晶体管的第二端子连接到接地；以及调整电路，对从上级晶体管的第三端子观察的阻抗进行调整，调整电路在上级晶体管的第三端子与接地之间包含与接地路径串联地连接的第二电容器和至少一个电阻元件。
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公开(公告)号：CN111800096B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202010263068.4
申请日：2020-04-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。
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公开(公告)号：CN113225023A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202011532387.7
申请日：2020-12-22
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/22
Abstract: 本发明提供一种抑制高频信号的失真的功率放大电路。包含功率放大器和调整电路，功率放大器包含：第1晶体管，第1端子与基准电位电连接，在第2端子被输入第1电流，并且被输入高频信号，第3端子经由第1电感器与第1电源电位电连接；电容器，一端与第1晶体管的第3端子电连接；以及第2晶体管，第1端子与电容器的另一端电连接，并且经由第2电感器与基准电位电连接，在第2端子被输入第2电流，并且与基准电位电连接，第3端子经由第3电感器与第1电源电位电连接，从第3端子输出高频输出信号，调整电路将与第1电源电位或第2电源电位相应的第3电流输出到第2晶体管的第2端子。
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