公开(公告)号：CN111800096B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202010263068.4

申请日：2020-04-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 寺岛敏和 ,  播磨史生 ,  伊藤真音 ,  田中聪 ,  渡边一雄 ,  荒屋敷聪 ,  由田力

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。

公开(公告)号：CN111800096A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010263068.4

申请日：2020-04-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 寺岛敏和 ,  播磨史生 ,  伊藤真音 ,  田中聪 ,  渡边一雄 ,  荒屋敷聪 ,  由田力

IPC: H03F3/20

Abstract: 本发明提供一种能够抑制多个晶体管的动作的偏差的功率放大装置。功率放大装置具有：半导体基板；多个第1晶体管，设置在半导体基板上；多个第2晶体管；集电极端子，与多个第1晶体管的集电极电连接；第1电感器，一端侧与集电极端子电连接，另一端侧与电源电位电连接；发射极端子，与多个第2晶体管的发射极电连接，在第2方向上与集电极端子相邻地设置；第2电感器，一端侧与发射极端子电连接，另一端侧与基准电位电连接；以及电容器，一端侧与多个第1晶体管的集电极电连接，另一端侧与多个第2晶体管的发射极电连接。