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公开(公告)号：CN112491370B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010925740.1
申请日：2020-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题在于，在确保功率放大电路的2个功率放大路径的隔离度的同时，减少功率损耗。功率放大电路包括：第1路径以及第2路径，设置在输入端子与输出端子之间；第1放大器，设置于第1路径，在第1模式的情况下成为工作状态；第2放大器，设置于第2路径，在第2模式的情况下成为工作状态；第1匹配电路，在第1路径中，设置在第1放大器与输出端子之间；第1电容器，一端与第1匹配电路的输出端子侧连接；第1电感器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端接地；和短路开关，与第1电感器并联地设置，短路开关在第1模式的情况下将第1电感器的两端短路，在第2模式的情况下成为开路状态。
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公开(公告)号：CN108933574B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201810358206.X
申请日：2018-04-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐藤秀幸
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供一种能够抑制大信号输入时的增益压缩的功率放大电路。功率放大电路具备：第一放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大了输入信号的第一放大信号；第一偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第一电流或第一电压；第二偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压；以及第一电阻元件，串联连接在第一放大晶体管的基极与第一偏置电路之间，第二偏置电路具备：二极管，在阳极被供给电源电压；阻抗电路，设置在二极管的阴极与接地之间；以及第一电容元件，一端与二极管的阴极和阻抗电路的连接点连接，并从另一端向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压。
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公开(公告)号：CN113225030A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110153563.4
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，增强功率放大电路中的晶体管间的热耦合。功率放大电路具有：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，基于控制电流的一部分向晶体管(101)供给偏置电流；晶体管(112)，其中流动的电流伴随着温度上升而增加；以及布线部(W1)，与晶体管(111)的发射极电连接，具有对置地层叠于半导体基板(301)的第二发射极布线(202)以及凸块(203)。在俯视半导体基板(301)时，第二发射极布线(202)以及凸块(203)的至少一方从配置晶体管(101)的配置区域的至少一部分延伸，以便重叠于配置晶体管(112)的配置区域。
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公开(公告)号：CN112491370A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010925740.1
申请日：2020-09-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明的课题在于，在确保功率放大电路的2个功率放大路径的隔离度的同时，减少功率损耗。功率放大电路包括：第1路径以及第2路径，设置在输入端子与输出端子之间；第1放大器，设置于第1路径，在第1模式的情况下成为工作状态；第2放大器，设置于第2路径，在第2模式的情况下成为工作状态；第1匹配电路，在第1路径中，设置在第1放大器与输出端子之间；第1电容器，一端与第1匹配电路的输出端子侧连接；第1电感器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端接地；和短路开关，与第1电感器并联地设置，短路开关在第1模式的情况下将第1电感器的两端短路，在第2模式的情况下成为开路状态。
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公开(公告)号：CN108933574A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810358206.X
申请日：2018-04-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐藤秀幸
IPC: H03F3/21
CPC classification number: H03F3/213 , H03F1/083 , H03F1/302 , H03F3/195 , H03F2200/21 , H03F2200/222 , H03F2200/267 , H03F2200/297 , H03F2200/451 , H03G3/3042
Abstract: 本发明提供一种能够抑制大信号输入时的增益压缩的功率放大电路。功率放大电路具备：第一放大晶体管，在基极被供给输入信号，并从集电极输出放大了输入信号的第一放大信号；第一偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第一电流或第一电压；第二偏置电路，向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压；以及第一电阻元件，串联连接在第一放大晶体管的基极与第一偏置电路之间，第二偏置电路具备：二极管，在阳极被供给电源电压；阻抗电路，设置在二极管的阴极与接地之间；以及第一电容元件，一端与二极管的阴极和阻抗电路的连接点连接，并从另一端向第一放大晶体管的基极供给第二电流或第二电压。
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公开(公告)号：CN113225030B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110153563.4
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，增强功率放大电路中的晶体管间的热耦合。功率放大电路具有：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，基于控制电流的一部分向晶体管(101)供给偏置电流；晶体管(112)，其中流动的电流伴随着温度上升而增加；以及布线部(W1)，与晶体管(111)的发射极电连接，具有对置地层叠于半导体基板(301)的第二发射极布线(202)以及凸块(203)。在俯视半导体基板(301)时，第二发射极布线(202)以及凸块(203)的至少一方从配置晶体管(101)的配置区域的至少一部分延伸，以便重叠于配置晶体管(112)的配置区域。
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公开(公告)号：CN111245382A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201911179855.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够与电源电压的控制方式无关地根据动作状况连接适当的电容，能够使各个电容的耐压降低。功率放大电路具备：放大器，将RF信号进行放大；以及旁路电容部，与用于向放大器供给电源电压的电源端子连接，旁路电容部具备：第1电容器，一端与电源供给路径连接；第2电容器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端与接地侧连接；以及第1开关电路，一端与第1电容器的另一端以及第2电容器的一端连接，另一端与接地连接，且对第1电容器的另一端与接地的连接进行切换。
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公开(公告)号：CN109768775A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811327973.0
申请日：2018-11-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 佐藤秀幸
Abstract: 提供一种功率放大电路，其扩展了增益分散。功率放大电路(10A)具备：第一晶体管(Q1)，其具有被供给RF信号的基极和被供给与RF信号的电平相应的可变电源电压(Vcc)的集电极，对RF信号进行放大；偏置电路(20)，其具有向第一晶体管(Q1)的基极供给偏置电流(Ibias)的第二晶体管(Q20)；以及调整电路(30)，可变电源电压(Vcc)越低，该调整电路(30)越使供给到第二晶体管(Q20)的基极的电流减少，由此使供给到第一晶体管(Q1)的基极的偏置电流(Ibias)减少。
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公开(公告)号：CN119891961A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411088581.9
申请日：2024-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种多赫蒂放大器，抑制输出特性的劣化。半导体装置包含：第1端子，与载波放大器的第1相放大器的输出端子连接；第2端子，与载波放大器的第2相放大器的输出端子连接；第3端子，与峰值放大器的第1相放大器的输出端子连接；第4端子，与峰值放大器的第2相放大器的输出端子连接；第5端子，与峰值放大器的第1相放大器的输出端子连接；以及第6端子，与峰值放大器的第2相放大器的输出端子连接。多赫蒂放大器包含：第1金属构件，将第1布线的一端与第1端子之间连接；第2金属构件，将第2布线的一端与第2端子之间连接；第3金属构件，将第1布线的另一端与第5端子之间连接；以及第4金属构件，将第2布线的另一端与第6端子之间连接。
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公开(公告)号：CN111245382B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN201911179855.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够与电源电压的控制方式无关地根据动作状况连接适当的电容，能够使各个电容的耐压降低。功率放大电路具备：放大器，将RF信号进行放大；以及旁路电容部，与用于向放大器供给电源电压的电源端子连接，旁路电容部具备：第1电容器，一端与电源供给路径连接；第2电容器，一端与第1电容器的另一端连接，另一端与接地侧连接；以及第1开关电路，一端与第1电容器的另一端以及第2电容器的一端连接，另一端与接地连接，且对第1电容器的另一端与接地的连接进行切换。
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