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公开(公告)号：CN116073773A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211314720.6
申请日：2022-10-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供一种差动放大装置，能够实现装置的小型化。差动放大装置(1)包括：输入匹配电路(MN1)，是被输入在输入端子输入的信号的输入平衡‑不平衡转换器；输出匹配电路(MN2)，是向输出端子输出信号的输出平衡‑不平衡转换器；第1放大器(11)及第2放大器(12)，并联设置在输入平衡‑不平衡转换器与输出平衡‑不平衡转换器之间，输出差动信号；第1二极管(D1)，设置在输入平衡‑不平衡转换器和第1放大器之间的路径与基准电位之间；第2二极管(D2)，设置在输入平衡‑不平衡转换器与第2放大器之间的路径与基准电位之间；以及偏置电路(21)，向第1二极管及第2二极管施加偏置，第1二极管的阴极及第2二极管的阴极与基准电位侧连接。
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公开(公告)号：CN119891961A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411088581.9
申请日：2024-08-08
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F1/02
Abstract: 一种多赫蒂放大器，抑制输出特性的劣化。半导体装置包含：第1端子，与载波放大器的第1相放大器的输出端子连接；第2端子，与载波放大器的第2相放大器的输出端子连接；第3端子，与峰值放大器的第1相放大器的输出端子连接；第4端子，与峰值放大器的第2相放大器的输出端子连接；第5端子，与峰值放大器的第1相放大器的输出端子连接；以及第6端子，与峰值放大器的第2相放大器的输出端子连接。多赫蒂放大器包含：第1金属构件，将第1布线的一端与第1端子之间连接；第2金属构件，将第2布线的一端与第2端子之间连接；第3金属构件，将第1布线的另一端与第5端子之间连接；以及第4金属构件，将第2布线的另一端与第6端子之间连接。
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公开(公告)号：CN114826209A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210062929.1
申请日：2022-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 数野将史
Abstract: 提供一种合成平衡不平衡转换器和差动放大装置，抑制从差动信号向单相信号的转换效率的降低。合成平衡不平衡转换器具备：第一输入侧导电构件，其在与第一轴交叉的第一面上卷绕在第一轴的周围，并且具有位于大致平行于第一轴的第二轴与第一轴之间且使第一输入电流流动的第一部分；第二输入侧导电构件，其在第一面上卷绕在第二轴的周围，并且具有位于第二轴与第一部分之间且使第二输入电流沿着与第一输入电流的方向相同的方向流动的第二部分；第一输出侧导电构件，其在与第一面对置的第二面上卷绕在第一轴的周围，并且具有与第一部分对置的第三部分；第二输出侧导电构件，其在第二面上卷绕在第二轴的周围，并且具有与第二部分对置的第四部分。
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公开(公告)号：CN215581071U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121163856.2
申请日：2021-05-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 数野将史
IPC: H03F3/20
Abstract: 功率放大电路(10)具备：放大器(101)，放大输入信号；变压器(104)，具有与放大器(101)的输出连接的初级线圈(1041)和与其电磁场耦合的次级线圈(1042)；放大器(102)，与次级线圈(1042)的一端连接；放大器(103)，与次级线圈(1042)的另一端连接；变压器(105)，具有一端与放大器(102)的输出连接且另一端与放大器(103)的输出连接的初级线圈(1051)和与其电磁场耦合的次级线圈(1052)；电容元件(106)，设置在次级线圈(1052)与接地之间；和电容元件(108)，一端与次级线圈(1052)的一端连接，另一端与次级线圈(1052)的另一端连接。
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