公开(公告)号：CN113225034B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202110153807.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 德矢浩章 ,  佐藤秀幸 ,  播磨史生 ,  嶋本健一 ,  田中聪 ,  河野孝透 ,  敷岛稜纪 ,  黑川敦

IPC: H03F3/21

Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。

公开(公告)号：CN113225034A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110153807.9

申请日：2021-02-04

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 德矢浩章 ,  佐藤秀幸 ,  播磨史生 ,  嶋本健一 ,  田中聪 ,  河野孝透 ,  敷岛稜纪 ,  黑川敦

IPC: H03F3/21

Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。