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公开(公告)号：CN118302953A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280077563.3
申请日：2022-12-07
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 功率放大电路具备：第1放大器，将作为平衡信号中的一者的第1信号放大，并将第1放大信号从第1输出端子输出；第2放大器，将作为所述平衡信号中的另一者的第2信号放大，并将第2放大信号从第2输出端子输出；平衡‑不平衡变换器，根据所述第1放大信号以及所述第2放大信号生成第3信号；以及匹配电路，设置在所述第1放大器以及所述第2放大器与所述平衡‑不平衡变换器之间，所述匹配电路包括：第1电容器，具有与所述第1输出端子连接的第1端、以及第2端；第2电容器，具有与所述第2输出端子连接的第1端、以及与所述第1电容器的所述第2端连接的第2端；以及布线，具有与所述第1电容器的所述第2端连接的第1端、以及与接地连接的第2端。
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公开(公告)号：CN114123987A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110957489.1
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制相对于温度变化的特性的变化变得不稳定的放大装置。放大装置(1)具备：放大器(10)，包含级联连接的多级的功率放大器(PA1～PA3)；和偏置电路(20)，向放大器(10)供给偏置电流。供给到多级的功率放大器(PA1～PA3)中的初级的功率放大器(PA1)的偏置电流(Ib1)具有正的温度特性，供给到最终级的功率放大器(PA3)的偏置电流(Ib3)具有负的温度特性。
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公开(公告)号：CN111384906B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911362814.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明构成一种在抑制与温度上升相伴的增益的劣化的同时抑制了放大特性的线性的劣化的功率放大电路(201)，其具备：功率放大器(PA)，对高频信号进行功率放大；功率放大器用温度检测电路(101)，包含与功率放大器热耦合的温度检测元件；偏置控制信号产生电路(21)，基于从功率放大器用温度检测电路输出的温度检测信号(Vdi)，产生对功率放大器的偏置控制信号；以及调节器电路(12)，使温度检测信号稳定化。而且，功率放大器、功率放大器用温度检测电路以及调节器电路形成在第一集成电路(10)，偏置控制信号产生电路(21)形成在第二集成电路(20)。第一集成电路的基板材料的截止频率比第二集成电路的基板材料高。
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公开(公告)号：CN111384906A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911362814.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明构成一种在抑制与温度上升相伴的增益的劣化的同时抑制了放大特性的线性的劣化的功率放大电路(201)，其具备：功率放大器(PA)，对高频信号进行功率放大；功率放大器用温度检测电路(101)，包含与功率放大器热耦合的温度检测元件；偏置控制信号产生电路(21)，基于从功率放大器用温度检测电路输出的温度检测信号(Vdi)，产生对功率放大器的偏置控制信号；以及调节器电路(12)，使温度检测信号稳定化。而且，功率放大器、功率放大器用温度检测电路以及调节器电路形成在第一集成电路(10)，偏置控制信号产生电路(21)形成在第二集成电路(20)。第一集成电路的基板材料的截止频率比第二集成电路的基板材料高。
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公开(公告)号：CN113225034B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110153807.9
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。
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公开(公告)号：CN113225034A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110153807.9
申请日：2021-02-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/21
Abstract: 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。
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