公开(公告)号：CN101895282A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN201010184889.5

申请日：2010-05-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 奥田修功 ,  小林俊介 ,  铃木伸和

IPC: H03K17/693

CPC classification number: H03K17/16

Abstract: 本发明涉及半导体器件。该半导体器件通过逻辑电路部使开关电路部进行开关动作(天线开关)。在一个半导体基板(20)上形成开关电路部和逻辑电路部，在逻辑电路部的正上面配置屏蔽导体(30)。屏蔽导体(30)制成空气桥结构，与接地端子(GND3)连接。从而可以得到一种可以抑制开关电路部所产生的高频辐射对逻辑电路部的不良影响，且不必牺牲小型化、低成本化的半导体器件。

公开(公告)号：CN111384906B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201911362814.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林俊介 ,  河野孝透

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/195 ,  H03F3/68 ,  H03F3/45 ,  H03F1/30 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明构成一种在抑制与温度上升相伴的增益的劣化的同时抑制了放大特性的线性的劣化的功率放大电路(201)，其具备：功率放大器(PA)，对高频信号进行功率放大；功率放大器用温度检测电路(101)，包含与功率放大器热耦合的温度检测元件；偏置控制信号产生电路(21)，基于从功率放大器用温度检测电路输出的温度检测信号(Vdi)，产生对功率放大器的偏置控制信号；以及调节器电路(12)，使温度检测信号稳定化。而且，功率放大器、功率放大器用温度检测电路以及调节器电路形成在第一集成电路(10)，偏置控制信号产生电路(21)形成在第二集成电路(20)。第一集成电路的基板材料的截止频率比第二集成电路的基板材料高。

公开(公告)号：CN111384906A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201911362814.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 小林俊介 ,  河野孝透

IPC: H03F3/24 ,  H03F3/195 ,  H03F3/68 ,  H03F3/45 ,  H03F1/30 ,  H03F1/02 ,  H03F1/32

Abstract: 本发明构成一种在抑制与温度上升相伴的增益的劣化的同时抑制了放大特性的线性的劣化的功率放大电路(201)，其具备：功率放大器(PA)，对高频信号进行功率放大；功率放大器用温度检测电路(101)，包含与功率放大器热耦合的温度检测元件；偏置控制信号产生电路(21)，基于从功率放大器用温度检测电路输出的温度检测信号(Vdi)，产生对功率放大器的偏置控制信号；以及调节器电路(12)，使温度检测信号稳定化。而且，功率放大器、功率放大器用温度检测电路以及调节器电路形成在第一集成电路(10)，偏置控制信号产生电路(21)形成在第二集成电路(20)。第一集成电路的基板材料的截止频率比第二集成电路的基板材料高。