公开(公告)号：CN117637807A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310891065.9

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金喆 ,  郑然镀 ,  朴贵临 ,  李艺琳 ,  金基哲 ,  崔庆寅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：沟道，所述沟道在衬底上沿基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向彼此间隔开；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且与每一个所述沟道的至少一部分的下表面和上表面及第一侧壁接界；以及源极/漏极层，所述源极/漏极层位于所述衬底的与所述栅极结构相邻的部分上并且接触所述沟道的第二侧壁。含氮部分形成在最上面的一个所述沟道的上部，并且可以被掺杂有氮。

公开(公告)号：CN114334962A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111110486.0

申请日：2021-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟淳 ,  朴钟撤 ,  李馥英 ,  李正允 ,  李亨求 ,  郑然镀 ,  丁海建

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/77 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：位于衬底上的器件隔离层；图案组，包括在第一方向上延伸的鳍图案；以及栅结构，在第二方向上延伸以与鳍图案相交。图案组中的第一图案组可以包括第一鳍图案。第一鳍图案的至少一部分可以在第二方向上以第一间距布置。第一图案组可以包括从第一凹陷部延伸的第一平坦部。第一凹陷部的中心轴可以在第二方向上与第一鳍图案中的一个的中心轴间隔开第一距离。第一平坦部可以在第二方向上具有第一宽度，第一宽度大于第一间距。第一距离可以是第一间距的约0.8倍至约1.2倍。