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发明公开
半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117637807A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310891065.9

申请日：2023-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金喆 , 郑然镀 , 朴贵临 , 李艺琳 , 金基哲 , 崔庆寅

IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。所述半导体器件包括：沟道，所述沟道在衬底上沿基本上垂直于所述衬底的上表面的垂直方向彼此间隔开；栅极结构，所述栅极结构位于所述衬底上并且与每一个所述沟道的至少一部分的下表面和上表面及第一侧壁接界；以及源极/漏极层，所述源极/漏极层位于所述衬底的与所述栅极结构相邻的部分上并且接触所述沟道的第二侧壁。含氮部分形成在最上面的一个所述沟道的上部，并且可以被掺杂有氮。

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