公开(公告)号：CN105990445A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。

公开(公告)号：CN105990445B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201610147006.0

申请日：2016-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁志玟 ,  权奇相 ,  李珍旭 ,  高绮亨 ,  朴相真 ,  白在职 ,  尹普彦 ,  尹智园

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：栅极间隔件，其在衬底上限定沟槽，并且包括上部和下部；栅极绝缘膜，其沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部接触；下导电膜，其在栅极绝缘膜上沿着沟槽的侧壁和底表面延伸，并且不与栅极间隔件的上部重叠；以及上导电膜，其位于下导电膜上且位于栅极绝缘膜的最上面的部分上。