公开(公告)号：CN105975644A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510454318.1

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜大权 ,  金东均 ,  梁在锡 ,  郑智荣 ,  金衷希 ,  金夏永 ,  朴晟根 ,  朴永国 ,  张铭洙 ,  金珍泰

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5081

Abstract: 本发明涉及一种设计半导体集成电路的方法。该方法包括：将半导体集成电路的衬底的设计区分隔为单元块，其中邻近的各单元块之间的距离可以大于或等于由半导体集成电路的设计规则定义的最小距离，以提供分离的单元块；在分离的单元块中设计半导体集成电路的布局；以及对各个分离的单元块中的每一个单独着色。

公开(公告)号：CN109326635A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN109326635B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201810770377.3

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱钰博 ,  金柄成 ,  金贤煜 ,  朴永国 ,  朴哲弘

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件包括第一导电元件、顺序地设置在第一导电元件上的第一绝缘层和第二绝缘层、穿过第一绝缘层和第二绝缘层的导电通路。导电通路连接到第一导电元件。该半导体器件包括设置在第二绝缘层中沿着第一绝缘层的上表面从导电通路的一个侧表面延伸的通路延伸部分、以及设置在第二绝缘层上连接到通路延伸部分的第二导电元件。

公开(公告)号：CN105975644B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201510454318.1

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜大权 ,  金东均 ,  梁在锡 ,  郑智荣 ,  金衷希 ,  金夏永 ,  朴晟根 ,  朴永国 ,  张铭洙 ,  金珍泰

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F30/394

Abstract: 本发明涉及一种设计半导体集成电路的方法。该方法包括：将半导体集成电路的衬底的设计区分隔为单元块，其中邻近的各单元块之间的距离可以大于或等于由半导体集成电路的设计规则定义的最小距离，以提供分离的单元块；在分离的单元块中设计半导体集成电路的布局；以及对各个分离的单元块中的每一个单独着色。