公开(公告)号：CN101587747A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910203082.9

申请日：2009-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴东妍 ,  李云京 ,  李丞哲

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C5/00 ,  G06F1/00 ,  G06F17/00

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454

Abstract: 本发明公开了一种NAND闪速存储器器件及其制造方法。一种集成电路包括NAND串，该NAND串包括位于串联连接的存储器贮存单元MC的任一末端的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST。存储器贮存单元的每个是具有浮置栅的存储器晶体管，并且串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的至少一个是具有浮置栅的存储器晶体管。可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST的阈值电压Vth是可变的和用户可控的，并不需要在制造过程中通过注入来创建。存储块中的可编程的串选择晶体管SST和地选择晶体管GST中的每个可以用于存储随机数据，由此增大了闪速存储器器件的存储器贮存能力。

公开(公告)号：CN101261995A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810092022.X

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞哲 ,  崔炳镕 ,  李忠浩 ,  李根浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。而且还提供了形成此类器件的方法。

公开(公告)号：CN103296088A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。

公开(公告)号：CN101261995B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200810092022.X

申请日：2008-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李丞哲 ,  崔炳镕 ,  李忠浩 ,  李根浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种非易失性存储器件包括第一导电类型的半导体衬底、在半导体衬底上的多条字线，每一条字线包括第二导电类型的浮栅。地选择线和串选择线位于字线的各侧。第二导电类型的掺杂区位于与地选择线相邻的第一字线之下。该器件还可以进一步包括第二导电类型的第二掺杂区，其位于与串选择线相邻的第二字线之下。在其它实施方式中，该器件可以进一步包括第二导电类型的第三掺杂区，其位于第一字线和第二字线之间的各第三字线之下。而且还提供了形成此类器件的方法。

公开(公告)号：CN103296088B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310061264.3

申请日：2013-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李忠浩 ,  李东矩 ,  李丞哲 ,  李炯锡 ,  南善娥 ,  吴昌佑 ,  李钟昱 ,  S-Y.韩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/6681 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/32053 ,  H01L21/76224 ,  H01L27/092 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了场效应晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：具有有源图案的基板，该有源图案具有顶表面和两个侧壁；栅电极，邻近有源图案的顶表面和侧壁并且跨过有源图案；栅间隔物，覆盖栅电极的侧壁；栅电介质图案，在栅电极的底表面处；源电极，在栅电极的一侧的有源图案上；漏电极，在栅电极的另一侧的有源图案上；以及硅化物图案，分别在源电极和漏电极的表面上。栅电介质图案包括至少一个高k层，栅间隔物的介电常数小于栅电介质图案的介电常数。