公开(公告)号：CN101005017B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200710002314.5

申请日：2007-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L23/00 ,  C30B1/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。

公开(公告)号：CN101005017A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710002314.5

申请日：2007-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L23/00 ,  C30B1/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层，以形成多个开口，该开口在开口的底部露出衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一激光照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过使用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单半导体晶体膜。

公开(公告)号：CN101009247A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200710004096.9

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/8221

Abstract: 提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN101009247B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200710004096.9

申请日：2007-01-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙龙勋 ,  姜声官 ,  李钟昱

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/768 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L27/0688 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/8221

Abstract: 提供了一种制造半导体薄膜的方法，包括：在半导体衬底上形成绝缘层；蚀刻绝缘层以形成多个开口，其露出在开口底部的衬底；使用半导体籽晶层填充开口；在籽晶层和绝缘层上形成非晶层；通过将非晶层暴露于第一能级的第一照射，将非晶层转化为多晶层；以及通过利用第二能级的第二激光照射退火多晶层和半导体籽晶层，形成单晶半导体膜。