公开(公告)号：CN106803505A

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201610943366.1

申请日：2016-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庸硕 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  慎居明 ,  金炫知 ,  朴商德

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L28/00 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/08 ,  H01L29/0847

Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。

公开(公告)号：CN106803505B

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN201610943366.1

申请日：2016-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李庸硕 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  慎居明 ,  金炫知 ,  朴商德

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06

Abstract: 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。

公开(公告)号：CN114388500A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110972491.6

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元赫 ,  朴钟撤 ,  朴商德 ,  申洪湜 ,  李道行

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。

公开(公告)号：CN106960870B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201710017972.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辅淳 ,  金炫知 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  朴商德 ,  吴怜默 ,  李庸硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN106960870A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710017972.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辅淳 ,  金炫知 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  朴商德 ,  吴怜默 ,  李庸硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN104241142A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410095174.0

申请日：2014-03-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金柱然 ,  李哲雄 ,  金泰善 ,  朴商德 ,  尹范濬 ,  河泰元

IPC: H01L21/441

CPC classification number: H01L21/28008 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。