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公开(公告)号：CN109948378B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201811403350.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F21/85
Abstract: 提供了主机控制器、安全元件和串行外设接口通信系统。所述主机控制器被配置为经由串行外设接口连接到安全元件，以及所述主机控制器包括：恢复信号产生器，被配置为产生第一恢复信号，所述第一恢复信号指示开始与所述安全元件的通信；发送器，被配置为将所述第一恢复信号发送到所述安全元件；从选择线激活器，被配置为在发送所述第一恢复信号之后激活从选择线；以及时钟控制器，被配置为基于所述从选择线被激活而通过时钟线将第一时钟信号发送到所述安全元件，其中，所述发送器还被配置为在发送所述第一时钟信号期间通过主输出从输入线(MOSI线)将包含第一数据在内的第一信号发送到所述安全元件。
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公开(公告)号：CN106658465B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201610949685.3
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种通信电路芯片、电子装置以及辅助通信装置。所述通信电路芯片包括控制器、电源管理器和存储器。控制器基于通过天线接收的接收信号选择性地与第一存储卡和第二存储卡之中的一个存储卡通信。电源管理器响应于通过天线接收的接收信号向被选择以与控制器通信的所述一个存储卡传输电力。存储器存储内容数据，从而识别存储在第一存储卡和第二存储卡中的每个中的数据的内容。控制器参考存储的内容数据从第一存储卡和第二存储卡之中选择将与控制器通信的所述一个存储卡。
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公开(公告)号：CN109948378A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811403350.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F21/85
Abstract: 提供了主机控制器、安全元件和串行外设接口通信系统。所述主机控制器被配置为经由串行外设接口连接到安全元件，以及所述主机控制器包括：恢复信号产生器，被配置为产生第一恢复信号，所述第一恢复信号指示开始与所述安全元件的通信；发送器，被配置为将所述第一恢复信号发送到所述安全元件；从选择线激活器，被配置为在发送所述第一恢复信号之后激活从选择线；以及时钟控制器，被配置为基于所述从选择线被激活而通过时钟线将第一时钟信号发送到所述安全元件，其中，所述发送器还被配置为在发送所述第一时钟信号期间通过主输出从输入线(MOSI线)将包含第一数据在内的第一信号发送到所述安全元件。
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公开(公告)号：CN101025978A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710079185.X
申请日：2007-02-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N7/1675 , G11B20/00086 , G11B20/0021 , G11B20/00246 , G11B2220/2562 , H04N21/42646 , H04N21/4325 , H04N21/4405
Abstract: 提供一种被配置为处理通过系统总线接收的加密的密钥和加密的数据的加密的数据播放器装置。所述加密的数据播放器装置包括装置密钥存储电路和解密电路。所述装置密钥存储电路被配置为存储装置密钥。解密电路被配置为直接从装置密钥存储电路接收装置密钥，使用所述装置密钥对加密的密钥进行解码并使用解密的密钥对加密的数据进行解码。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1256848C
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN03160265.7
申请日：2003-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03M7/425
Abstract: 提供了一种用于译码可变长度编码的装置和方法，其中用户可以设置一可变长度译码表。所述装置包括预译码单元、移位器、第一到第M个查找表地址寄存器、选择器、存储器控制器、存储器和存储器搜索器。为了以3位为单元译码可变长度编码数据位流，可以根据所述可变长度编码表预备一个LOC信息表。该LOC信息表包括LOC信息位和节点类型。用于每一节点类型的LOC信息位使用四种格式A、B、C和D来表示，以表示在3位译码期间产生的分支的特性，格式A、B、C和D中的每一个都具有2位数字值。所述预译码单元包括第一预译码器和第二预译码器。根据输入数据位流的编码特性选择第一预译码器和第二预译码器中的一个。
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公开(公告)号：CN117747539A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311210836.X
申请日：2023-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L27/02
Abstract: 提供了集成电路器件和形成其的方法。该方法可以包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底、底部绝缘体、以及在衬底和底部绝缘体之间的半导体区，半导体区在第一方向上延伸；在底部绝缘体上形成第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构，其中底部绝缘体可以包括第一部分和第二部分以及在第一部分和第二部分之间的第三部分，第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构分别与第一部分和第二部分重叠；用底部半导体层替换底部绝缘体的第三部分；在第一初步晶体管结构和第二初步晶体管结构之间形成源极/漏极区；用背面绝缘体替换衬底和半导体区；在背面绝缘体中形成电源接触，其中源极/漏极区可以与电源接触重叠；以及形成电源轨。
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公开(公告)号：CN117667508A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311147060.1
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社 , 延世大学校产学协力团
IPC: G06F11/14
Abstract: 检测软错误的方法包括：在加载到存储器中的程序中，将原始分支命令复制到复制的分支命令，由处理器执行包括复制的分支命令的第一命令集，由处理器执行包括原始分支命令的第二命令集，以及由软错误检测电路基于第一命令集和第二命令集的执行结果来确定在原始分支命令的执行中是否存在错误。
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公开(公告)号：CN109817516B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201811384728.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。
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公开(公告)号：CN117012758A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310474207.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/768 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括电介质层、形成在电介质层中的多个通路、沉积在电介质层的顶表面上的粘合层、以及多条金属线。所述多条金属线中的第一金属线包括形成在第一金属线的底表面处的第一凹陷，使得第一金属线的第一部分直接接触第一通路，并且第一金属线的由第一凹陷限定的第二部分不直接接触第一通路或其中形成第一通路的电介质层。
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