公开(公告)号：CN114649262A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111429774.2

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴寅源 ,  金辅淳 ,  朴钟淳

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/085

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，包括在第一区域和第二区域之间的边界区域；在第一区域上的第一有源图案；在第二区域上的第二有源图案；以及在边界区域上且在第一有源图案和第二有源图案之间的隔离绝缘图案。第一有源图案中的至少一个的宽度不同于第一有源图案中的另一个的宽度。第二有源图案的宽度可以彼此相等。隔离绝缘图案的底表面包括与对应的第一有源图案相邻的第一底表面、与对应的第二有源图案相邻的第二底表面以及在第一底表面和第二底表面之间的第三底表面。第三底表面相对于基板的底表面位于与第一底表面和第二底表面的高度不同的高度。

公开(公告)号：CN106960870B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201710017972.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辅淳 ,  金炫知 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  朴商德 ,  吴怜默 ,  李庸硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN106960870A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710017972.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辅淳 ,  金炫知 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  朴商德 ,  吴怜默 ,  李庸硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/84 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/423 ,  H01L29/42316

Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。