公开(公告)号：CN114388500A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202110972491.6

申请日：2021-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元赫 ,  朴钟撤 ,  朴商德 ,  申洪湜 ,  李道行

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案，在有源图案上且彼此分隔开；第一源极/漏极接触件，在第一源极/漏极图案上且包括第一源极/漏极阻挡膜和在第一源极/漏极阻挡膜上的第一源极/漏极填充膜；第二源极/漏极接触件，在第二源极/漏极图案上；以及栅极结构，在第一源极/漏极接触件与第二源极/漏极接触件之间在有源图案上且包括栅电极，其中，第一源极/漏极接触件的顶表面比栅极结构的顶表面低，并且从有源图案的顶表面到第一源极/漏极阻挡膜的顶表面的高度比从有源图案的顶表面到第一源极/漏极填充膜的顶表面的高度小。

公开(公告)号：CN110880503B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910634952.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  朴兴植 ,  李道行 ,  李仁根 ,  蔡承澔 ,  崔夏荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

公开(公告)号：CN101236892B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN101236892A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN112420696B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202010667825.4

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H10D84/83 ,  H10D30/62 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

公开(公告)号：CN112420696A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010667825.4

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

公开(公告)号：CN110880503A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910634952.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  朴兴植 ,  李道行 ,  李仁根 ,  蔡承澔 ,  崔夏荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型有源区；与鳍型有源区交叉并且在衬底上沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及设置在栅极结构上的第一接触结构，第一接触结构的顶表面的宽度大于第一接触结构的底表面的宽度。

公开(公告)号：CN212412061U

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202021369729.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件，其包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。