公开(公告)号：CN112420696B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202010667825.4

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H10D84/83 ,  H10D30/62 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

公开(公告)号：CN112420696A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010667825.4

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。

公开(公告)号：CN212412061U

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202021369729.3

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  卢炫准 ,  朴兴植 ,  成石铉 ,  李道行 ,  李元赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件，其包括：跨越衬底的栅极图案，栅极图案包括依次堆叠在衬底上的栅极绝缘层、栅电极和栅极盖图案；栅极间隔物，覆盖栅极图案的侧壁；在衬底上的源极/漏极图案，源极/漏极图案邻近栅极图案的侧壁；在源极/漏极图案上的接触垫，接触垫的顶表面低于栅电极的顶表面；在接触垫上的源极/漏极接触插塞；以及在栅极间隔物与源极/漏极接触插塞之间的保护间隔物，保护间隔物具有包围源极/漏极接触插塞的环形。