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公开(公告)号:CN110880503B
公开(公告)日:2024-03-08
申请号:CN201910634952.1
申请日:2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
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公开(公告)号:CN110880503A
公开(公告)日:2020-03-13
申请号:CN201910634952.1
申请日:2019-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 提供了一种集成电路器件,所述集成电路器件包括:在衬底上沿第一方向延伸的鳍型有源区;与鳍型有源区交叉并且在衬底上沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构;以及设置在栅极结构上的第一接触结构,第一接触结构的顶表面的宽度大于第一接触结构的底表面的宽度。
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