公开(公告)号：CN110416210A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910206680.5

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁根 ,  朴钟撤 ,  李相炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。

公开(公告)号：CN110310986A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN110416210B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910206680.5

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁根 ,  朴钟撤 ,  李相炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；栅极结构，位于基底上；第一蚀刻停止层、第二蚀刻停止层和层间绝缘层，堆叠在栅极结构上；以及接触插塞，穿透层间绝缘层、第二蚀刻停止层和第一蚀刻停止层并且接触栅极结构的侧壁。接触插塞包括具有第一宽度的下部和具有第二宽度的上部。接触插塞的下表面具有台阶形状。

公开(公告)号：CN110880503A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910634952.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  朴兴植 ,  李道行 ,  李仁根 ,  蔡承澔 ,  崔夏荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍型有源区；与鳍型有源区交叉并且在衬底上沿垂直于第一方向的第二方向延伸的栅极结构；以及设置在栅极结构上的第一接触结构，第一接触结构的顶表面的宽度大于第一接触结构的底表面的宽度。

公开(公告)号：CN110880503B

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN201910634952.1

申请日：2019-07-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  朴兴植 ,  李道行 ,  李仁根 ,  蔡承澔 ,  崔夏荣

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092

公开(公告)号：CN110310986B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。