公开(公告)号：CN110752212B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H10B10/00

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110310986B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN110752212A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910374990.8

申请日：2019-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相炫 ,  康诚右 ,  裴根熙 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11

Abstract: 半导体器件包括：栅极，在衬底上沿第一方向延伸，所述栅极中的每个栅极包括栅极绝缘层、栅电极和第一间隔物；第一接触插塞，在所述栅极中的相邻栅极之间与衬底接触，第一接触插塞与所述栅极中的相应栅极的侧壁间隔开；第二接触插塞，与相应栅电极的上表面相接触，第二接触插塞在所述第一接触插塞之间；以及绝缘间隔物，在第二接触插塞和相邻的第一接触插塞之间的间隙中，绝缘间隔物接触第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的侧壁，并且第二接触插塞和相邻的第一接触插塞的上表面基本上彼此共面。

公开(公告)号：CN110310986A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910231444.9

申请日：2019-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安学润 ,  李相炫 ,  康诚右 ,  申洪湜 ,  吴省翰 ,  吴怜默 ,  李仁根

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：衬底，包括沿第一方向延伸的鳍型有源区；栅极结构，交叉鳍型有源区并沿交叉第一方向的第二方向延伸；源极/漏极区，在栅极结构的彼此相反侧处的鳍型有源区上；第一接触结构，电连接到源极/漏极区中的一个；成对的第一接触块结构，分别在第一接触结构的在第二方向上的彼此相反的第一侧壁上。

公开(公告)号：CN110085586A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201910067000.6

申请日：2019-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申洪湜 ,  李相贤 ,  安学润 ,  吴省翰 ,  吴怜默

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：在半导体基板上的金属图案；覆盖金属图案的蚀刻停止层，该蚀刻停止层包括顺序堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；在蚀刻停止层上的层间电介质层；和穿透层间电介质层和蚀刻停止层的接触插塞，该接触插塞连接到金属图案，其中第一绝缘层包括包含金属性元素和氮的第一绝缘材料，其中第二绝缘层包括含碳的第二绝缘材料，以及其中第三绝缘层包括不含金属性元素和碳的第三绝缘材料。