公开(公告)号：CN101365290A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810168645.0

申请日：2008-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛煜 ,  李英姬 ,  申哲浩 ,  李振硕

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种使用离子束的半导体装置。该半导体装置可包括施加电压的第一格栅。施加到第一格栅的电压可具有与施加到等离子体腔的壁部分的参考电压相同的电势电平，等离子体腔中可产生等离子体。第一格栅可毗邻等离子体。因此，第一格栅和等离子体腔的壁部分之间的电势电平差可以为零，因此等离子体可以是稳定的。

公开(公告)号：CN101236892B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。

公开(公告)号：CN101236892A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008875.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道行 ,  黄盛煜 ,  申哲浩

IPC: H01L21/00 ,  C23C16/513 ,  H01J37/32 ,  H01J37/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/024 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了一种离子束设备。该离子束设备包括在等离子体腔的一端安装有栅格组件的等离子体腔和设置在等离子体腔和栅格组件之间的等离子壳层控制器。该栅格组件包括第一离子提取孔。该等离子壳层控制器包括小于第一离子提取孔的第二离子提取孔。当等离子壳层控制器在这种结构中使用时，等离子体的表面在邻近于该控制器处呈现更平坦的结构，使得以垂直于等离子体表面的方向从等离子体提取的离子干净地穿过栅格组件的孔而不与栅格组件孔的侧壁碰撞。本发明还提供了半导体制造设备和用于形成离子束的方法。