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公开(公告)号：CN103839944A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/823412 , H01L21/823425 , H01L27/0207 , H01L27/088 , H01L29/0847 , H01L29/1095 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7833 , H01L29/7836
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN103839944B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201310585436.7
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN110060999B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201910156871.5
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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公开(公告)号：CN110060999A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910156871.5
申请日：2013-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/02 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种包括凹槽中的应力源的半导体器件和形成该半导体器件的方法。所述方法可以包括在有源区中形成沟槽，所述沟槽可以包括所述有源区的凹口部分。所述方法还可以包括在所述沟槽中形成嵌入式应力源。所述嵌入式应力源可以包括下部半导体层和上部半导体层，所述上部半导体层的宽度窄于所述下部半导体层的宽度。所述上部半导体层的侧部可以不与所述下部半导体层的侧部对准，并且所述上部半导体层的最上表面可以高于所述有源区的最上表面。
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